[發明專利]石墨基板上生長的納米線或納米錐有效
| 申請號： | 201680053114.X | 申請日： | 2016-07-13 |
| 公開（公告）號： | CN108352424B | 公開（公告）日： | 2022-02-01 |
| 發明（設計）人： | 金東徹;艾達·瑪麗·E·霍埃斯;卡爾·菲利普·J·海姆達爾;比約恩·奧韋·M·菲姆蘭;赫爾格·韋曼 | 申請（專利權）人： | 科萊約納諾公司;挪威科技大學 |
| 主分類號： | H01L33/08 | 分類號： | H01L33/08;H01L33/18;H01L33/24;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人： | 沈敬亭;鄭希元 |
| 地址： | 挪威特*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 石墨 基板上 生長 納米 | ||
1.石墨基板上的多個納米線或納米錐，其包含：
石墨基板；
直接沉積于所述基板的頂部上與任何支撐件相對的具有不大于50nm的厚度的晶種層；以及
直接于所述晶種層的頂部上的氧化物或氮化物遮罩層；
其中多個孔貫通所述晶種層及貫通所述遮罩層至所述石墨基板而存在；且其中
多個納米線或納米錐從所述基板于所述孔中生長，所述納米線或納米錐包含至少一種半導體III-V族化合物。
2.如權利要求1所述的石墨基板上的多個納米線或納米錐，其中所述石墨基板是攜載于支撐件上的。
3.如權利要求1所述的石墨基板上的多個納米線或納米錐，其中所述晶種層是金屬層。
4.如權利要求1或2所述的石墨基板上的多個納米線或納米錐，其中所述基板是石墨烯。
5.如權利要求1或2所述的石墨基板上的多個納米線或納米錐，其中所述納米線或納米錐自所述基板外延生長。
6.如權利要求1或2所述的石墨基板上的多個納米線或納米錐，其中所述基板的厚度高達20nm。
7.如權利要求1或2所述的石墨基板上的多個納米線或納米錐，其中所述晶種層是來自第一(3d)過渡系列(Sc-Zn)、B、Al、Si、Ge、Sb、Ta、W或Nb的金屬層。
8.如權利要求1或2所述的石墨基板上的多個納米線或納米錐，其中所述遮罩層包含金屬氧化物或金屬氮化物。
9.如權利要求1或2所述的石墨基板上的多個納米線或納米錐，其中所述遮罩層包含Al2O3、TiO2、SiO2、AlN、BN或Si3N4。
10.如權利要求1或2所述的石墨基板上的多個納米線或納米錐，其中支撐件包含半導體基板、透明玻璃、AlN或碳化硅。
11.如權利要求1或2所述的石墨基板上的多個納米線或納米錐，其中支撐件包含半導體基板，所述半導體基板包含具有與表面垂直的[111]、[110]或[100]晶體取向的晶體Si或GaAs且于頂部具有或不具有氧化物或氮化物層；或包含熔融二氧化硅或熔融氧化鋁的透明玻璃。
12.如權利要求1或2所述的石墨基板上的多個納米線或納米錐，其中所述納米線或納米錐是摻雜的。
13.如權利要求1或2所述的石墨基板上的多個納米線或納米錐，其中所述納米線或納米錐是核-殼納米線或納米錐或徑向異質結構化的納米線或納米錐。
14.如權利要求1或2所述的石墨基板上的多個納米線或納米錐，其中所述納米線或納米錐是軸向異質結構化的納米線或納米錐。
15.如權利要求1或2所述的石墨基板上的多個納米線或納米錐，其中石墨頂部接觸層存在于所述納米線或納米錐的頂部上。
16.如權利要求1或2所述的石墨基板上的多個納米線或納米錐，其中所述遮罩層包含至少兩個不同的層。
17.如權利要求1或2所述的石墨基板上的多個納米線或納米錐，其中所述遮罩層包含氧化物層及氮化物層。
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