[發(fā)明專利]顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680053060.7
• 申請日: 2016-10-06
• 公開（公告）號: CN108027531A
• 公開（公告）日: 2018-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李一翻;林振炯;金起煥
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社LG化學(xué)
• 主分類號: G02F1/1335
• 分類號: G02F1/1335;G02F1/1343;G02F1/1368;H01L51/52
• 代理公司: 北京鴻元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327
• 代理人: 李琳;陳英俊

1.一種顯示裝置，包括：

基板，包括像素區(qū)域和非像素區(qū)域；

黑矩陣，設(shè)置在所述基板的所述非像素區(qū)域的至少一部分中；以及

設(shè)置在所述基板的所述像素區(qū)域中的像素電極和與所述像素電極對應(yīng)的公共電極，

其中，通過多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線來劃分所述像素區(qū)域，所述多條柵極線和所述多條數(shù)據(jù)線設(shè)置在所述基板上同時彼此交叉，

所述非像素區(qū)域包括布線單元，所述布線單元包括薄膜晶體管以及所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線，并且

所述黑矩陣滿足以下公式1的0.004以上且0.22以下的值，

[公式1]

( k × t ) λ ]]>

在公式1中，k表示所述黑矩陣的消光系數(shù)，t表示所述黑矩陣的厚度，λ表示光的波長。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述黑矩陣的厚度為10nm以上且100nm以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述黑矩陣的消光系數(shù)k在波長為550nm的光下為0.1以上且2以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述黑矩陣的反射率n在波長為550nm的光下為2以上且3以下。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述黑矩陣的表面上的光反射率為40％以下。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述黑矩陣包括選自由金屬氧化物、金屬氮化物和金屬氮氧化物組成的組中的一種或多種。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，所述金屬氧化物、所述金屬氮化物和所述金屬氮氧化物是從選自由Cu、Al、Mo、Ti、Ag、Ni、Mn、Au、Cr和Co組成的組中的一種或兩種或更多種金屬衍生來的。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括：

在所述布線單元和所述黑矩陣之間的絕緣層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述黑矩陣被設(shè)置為比所述布線單元更靠近所述基板。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述黑矩陣被設(shè)置為比所述布線單元更遠(yuǎn)離所述基板。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述黑矩陣設(shè)置在所述基板的所述非像素區(qū)域中，并且所述布線單元的至少一部分設(shè)置在所述黑矩陣上。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述顯示裝置是液晶顯示裝置，所述液晶顯示裝置在每個像素區(qū)域中包括濾色層，并且所述液晶顯示裝置包括設(shè)置在與所述濾色層的平面相同的平面上的所述像素電極和所述公共電極。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述顯示裝置包括有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置在每個像素區(qū)域上包括有機(jī)材料層，所述有機(jī)材料層設(shè)置在所述像素電極和所述公共電極之間。