[發(fā)明專利]光電子半導(dǎo)體芯片和用于制造光電子半導(dǎo)體芯片的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680053039.7
• 申請日: 2016-09-26
• 公開（公告）號: CN108028286B
• 公開（公告）日: 2020-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 賴納·哈特曼;馬丁·曼德爾;西梅昂·卡茨;安德烈亞斯·呂克爾
• 申請（專利權(quán)）人: 歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L31/00
• 分類號: H01L31/00;H01L33/00;H01L33/38;H01L33/44
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 丁永凡;張春水

1.一種光電子半導(dǎo)體芯片(1)，所述光電子半導(dǎo)體芯片具有：載體(5)；和設(shè)置在所述載體(5)上的半導(dǎo)體本體(2)，所述半導(dǎo)體本體具有半導(dǎo)體層序列；以及芯片前側(cè)和芯片后側(cè)，其中

-所述半導(dǎo)體層序列包括有源區(qū)域(20)，所述有源區(qū)域設(shè)置在第一半導(dǎo)體層(21)和第二半導(dǎo)體層(22)之間，并且所述有源區(qū)域設(shè)置用于產(chǎn)生或接收電磁輻射，

-所述第一半導(dǎo)體層(21)與第一接觸件(41)導(dǎo)電連接，

-所述第一接觸件(41)在所述芯片前側(cè)上構(gòu)成，

-所述第二半導(dǎo)體層(22)與第二接觸件(42)導(dǎo)電連接，

-所述第二接觸件(42)同樣在所述芯片前側(cè)上構(gòu)成，并且

-電絕緣的分離層(6)，所述電絕緣的分離層將所述半導(dǎo)體芯片的所述芯片后側(cè)與所述有源區(qū)域(20)電絕緣，其中所述電絕緣的分離層(6)包括至少一個第一分離層(61)，所述第一分離層具有至少一個原子子層的層或至少一個分子子層的層，并且借助于原子層沉積或分子層沉積來沉積。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電子半導(dǎo)體芯片，

其中所述第一接觸件(41)在所述有源區(qū)域(20)旁邊構(gòu)成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電子半導(dǎo)體芯片，

其中所述第二接觸件(42)在所述有源區(qū)域(20)旁邊構(gòu)成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的光電子半導(dǎo)體芯片，

其中在所述載體的前側(cè)(51)上、在所述載體的后側(cè)(52)上或在所述載體(5)之內(nèi)設(shè)置有所述電絕緣的分離層(6)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的光電子半導(dǎo)體芯片，

其中所述原子子層的層和/或分子子層的層具有一個或多個子層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的光電子半導(dǎo)體芯片，

其中所述第一分離層(61)具有至少一種或多種絕緣的氧化物化合物或氮化物化合物。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的光電子半導(dǎo)體芯片，

其中所述第一分離層(61)具有下述材料中的一種或多種：Al_xO_y,SiO₂,Ta_xO_y,TaN,TiO,SiN,AlN,TiN,ZrO₂,HfO₂,HfSiO4,ZrSiO₄,HfSiON。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的光電子半導(dǎo)體芯片，

其中所述電絕緣的分離層(6)具有由電絕緣材料構(gòu)成的層序列。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的光電子半導(dǎo)體芯片，

其中所述層序列包括所述第一分離層(61)和至少一個第二分離層(62)，所述第二分離層(62)具有一個或多個通過氣相沉積或濺射方法沉積的子層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電子半導(dǎo)體芯片，其中

-所述層序列具有第三分離層(63)，并且其中所述第三分離層(63)具有一個或多個通過氣相沉積或通過濺射方法沉積的子層，和

-所述第一分離層(61)至少部分地由所述第二分離層(62)和第三分離層(63)包圍。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光電子半導(dǎo)體芯片，

其中所述第二分離層(62)和/或所述第三分離層(63)具有至少一種或多種絕緣的氧化物化合物或氮化物化合物。