[發明專利]半透膜及半透膜的制造方法在審
| 申請號: | 201680052705.5 | 申請日: | 2016-10-12 |
| 公開(公告)號: | CN108025264A | 公開(公告)日: | 2018-05-11 |
| 發明(設計)人: | 林文弘;室谷保彥 | 申請(專利權)人: | 住友電工超效能高分子股份有限公司 |
| 主分類號: | B01D69/10 | 分類號: | B01D69/10;B01D69/12;B01D71/32;C08J9/28 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 常海濤;高釗 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半透膜 制造 方法 | ||
1.一種半透膜,包括含有無定形樹脂作為主要成分的半透膜層,以及支持所述半透膜層的片狀支持體,
其中所述支持體具有多孔的第一支持層和層疊于所述第一支持層的一個表面上的多孔的第二支持層,
所述第二支持層的平均流量孔徑小于所述第一支持層的平均流量孔徑,并且
所述第二支持層被所述半透膜層浸漬。
2.根據權利要求1所述的半透膜,其中所述第二支持層的平均流量孔徑與所述第一支持層的平均流量孔徑之比為1/1,000以上1/5以下。
3.根據權利要求1或2所述的半透膜,其中所述第一支持層的平均流量孔徑為0.05μm以上20μm以下,并且所述第二支持層的平均流量孔徑為0.01μm以上1μm以下。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的半透膜,其中所述第一支持層的泡點為10kPa以上350kPa以下,并且所述第二支持層的泡點為500kPa以上3000kPa以下。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的半透膜,其中所述第一支持層的孔隙率為40%以上90%以下,所述第二支持層的孔隙率為30%以上80%以下。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的半透膜,其中所述半透膜層的平均厚度為0.2μm以上10μm以下。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的半透膜,其中所述半透膜層浸漬到所述第一支持層和所述第二支持層之間的界面。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的半透膜,其中所述無定形樹脂為無定形氟樹脂。
9.根據權利要求1至8中任一項所述的半透膜,其中所述第一支持層和所述第二支持層均包含氟樹脂作為主要成分。
10.根據權利要求1至9中任一項所述的半透膜,其中所述第一支持層包括擴張膜。
11.一種制造半透膜的方法,該半透膜包括含有無定形樹脂作為主要成分的半透膜層,以及支持所述半透膜層的片狀支持體,所述方法包括:
層疊多孔的第一支持層和多孔的第二支持層以制備片狀支持體的層疊步驟;
利用無定形樹脂的分散液浸漬所述支持體的分散液浸漬步驟;以及
將浸漬有所述分散液的支持體干燥的干燥步驟,
其中所述第二支持層的平均流量孔徑小于所述第一支持層的平均流量孔徑。
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