[發明專利]用于無電金鍍敷的鍍浴組合物和沉積金層的方法

在審

• 申請號: 201680052427.3
• 申請日: 2016-09-16
• 公開（公告）號: CN108026642A
• 公開（公告）日: 2018-05-11
• 發明（設計）人: 羅伯特·施普倫曼;克里斯蒂安·內特利希;薩布里納·格倫諾瓦;德米特羅·沃隆申;鮑里斯·亞歷山大·詹森;東尼·勞坦
• 申請（專利權）人: 埃托特克德國有限公司
• 主分類號: C23C18/16
• 分類號: C23C18/16;C23C18/18;C23C18/44
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王潛;郭國清

1.含水無電金鍍浴，所述含水無電金鍍浴包含至少一種金離子源和至少一種用于金離子的還原劑，其特征在于所述含水無電金鍍浴包含至少一種根據式(I)的乙二胺衍生物作為鍍敷增強劑化合物

其中殘基R1和R2包含2至12個碳原子并且選自支鏈烷基、無支鏈烷基、環烷基或其組合，其中各殘基R1和R2相同或不同。

2.根據權利要求1所述的含水無電金鍍浴，其特征在于式(I)中的殘基R1和R2包含2至8個碳原子。

3.根據前述權利要求中任一項所述的含水無電金鍍浴，其特征在于式(I)中的殘基R1和R2是相同的。

4.根據前述權利要求中任一項所述的含水無電金鍍浴，其特征在于式(I)中的殘基R1和R2不含任何另外的氨基部分和/或任何羥基部分。

5.根據前述權利要求中任一項所述的含水無電金鍍浴，其特征在于式(I)中的殘基R1和R2是具有3至6個碳原子的支鏈烷基殘基。

6.根據前述權利要求中任一項所述的含水無電金鍍浴，其特征在于所述至少一種根據式(I)的鍍敷增強劑化合物的濃度范圍為0.001–1mol/L。

7.根據權利要求6所述的含水無電金鍍浴，其特征在于所述至少一種根據式(I)的鍍敷增強劑化合物的濃度范圍為10mmol/L至100mmol/L。

8.根據前述權利要求中任一項所述的含水無電金鍍浴，其特征在于所述至少一種用于金離子的還原劑選自脂族醛、脂族二醛、脂族不飽和醛、芳族醛、具有醛基團的糖和甲醛的前體。

9.根據前述權利要求中任一項所述的含水無電金鍍浴，其特征在于還原劑與根據式(I)的鍍敷增強劑化合物的摩爾比的范圍為0.8至3。

10.根據前述權利要求中任一項所述的含水無電金鍍浴，其特征在于所述含水無電金鍍浴的pH范圍為5至9。

11.根據前述權利要求中任一項所述的含水無電金鍍浴，其特征在于金離子濃度范圍為0.1g/L至10g/L。

12.根據前述權利要求中任一項所述的含水無電金鍍浴，其特征在于所述含水無電金鍍浴還包含至少一種選自羧酸、羥基羧酸、氨基羧酸、氨基膦酸或前述項的鹽的絡合劑。

13.一種用于將金層沉積到基底上的方法，所述方法依次包括以下步驟

(i)提供基底，

(ii)使所述基底的至少一部分表面與根據權利要求1至12所述的含水無電金鍍浴接觸，

并由此將金層沉積在所述基底的所述至少一部分表面上。