[發(fā)明專利]包含含有乙烯基或(甲基)丙烯酰氧基的聚硅氧烷的抗蝕劑圖案涂布用組合物

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680051821.5
• 申請日: 2016-09-09
• 公開（公告）號: CN108027570A
• 公開（公告）日: 2018-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 志垣修平;坂本力丸;中島誠;柴山亙
• 申請（專利權(quán)）人: 日產(chǎn)化學(xué)工業(yè)株式會社
• 主分類號: G03F7/40
• 分類號: G03F7/40;G03F7/20;H01L21/027;C08G77/20
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 馬妮楠;段承恩

1.一種組合物，是在抗蝕劑圖案上涂布的組合物，其包含將水解性硅烷水解縮合而得的聚硅氧烷、和羧酸酯溶劑或醚溶劑，該水解性硅烷包含含有乙烯基或(甲基)丙烯酰氧基的水解性硅烷。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，水解性硅烷以在全部水解性硅烷中20～100摩爾％的比例包含含有乙烯基或(甲基)丙烯酰氧基的水解性硅烷。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的組合物，羧酸酯溶劑為乙酸酯。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的組合物，醚溶劑為具有碳原子數(shù)2～10的烷基的二烷基醚。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的組合物，含有乙烯基或(甲基)丙烯酰氧基的水解性硅烷由式(1)表示，

R1aR2bSi(R3)4-(a+b) 式(1)

式(1)中，R1表示含有乙烯基或(甲基)丙烯酰氧基的有機基團，且以Si-C鍵與硅原子結(jié)合；R2表示烷基、芳基、鹵代烷基、鹵代芳基、烯基、或具有環(huán)氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巰基或氰基的有機基團，且以Si-C鍵與硅原子結(jié)合；R3表示烷氧基、酰氧基或鹵素基團；a表示整數(shù)1或2，b表示整數(shù)0或1，a+b表示整數(shù)1或2。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的組合物，水解性硅烷包含式(1)所示的水解性硅烷、和式(2)所示的水解性硅烷，

R4cR5dSi(R6)4-(c+d) 式(2)

式(2)中，R4和R5各自獨立地表示烷基、芳基、鹵代烷基、鹵代芳基、或具有環(huán)氧基、巰基或氰基的有機基團，且以Si-C鍵與硅原子結(jié)合；R6表示烷氧基、酰氧基或鹵素基團；c和d分別表示整數(shù)0或1，c+d表示整數(shù)0～2。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項所述的組合物，其進一步包含酸或堿。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項所述的組合物，其進一步包含表面活性劑。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項所述的組合物，其進一步包含光產(chǎn)酸劑。

10.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包含下述工序：在基板上涂布抗蝕劑的工序(1)；將抗蝕劑膜進行曝光接著進行顯影從而形成抗蝕劑圖案的工序(2)；在顯影中或顯影后的抗蝕劑圖案上涂布權(quán)利要求1～9中任一項所述的組合物的工序(3)；通過蝕刻將抗蝕劑圖案除去而使圖案反轉(zhuǎn)的工序(4)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造方法，在工序(1)之前，包含在基板上形成抗蝕劑下層膜的工序(1-1)。

12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的制造方法，在工序(3)之后，包含將作為所述組合物的固化物的涂膜的表面進行回蝕而露出抗蝕劑圖案表面的工序(3-1)。