[發明專利]用于材料移除的半導體裝置處理方法

有效

• 申請號: 201680051785.2
• 申請日: 2016-07-08
• 公開（公告）號: CN107949902B
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: T.L.奧爾森;W.B.羅杰斯;F.阿爾達斯
• 申請（專利權）人: 美國德卡科技公司
• 主分類號: H01L21/308
• 分類號: H01L21/308
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種從半導體裝置移除材料的方法，包括：

提供半導體基材，所述半導體基材包括長度L、第一表面以及與所述第一表面相對的第二表面；

在所述半導體基材的所述第一表面上方形成材料層；

提供輸送器；

提供設置在所述輸送器上方的第一空氣刀；

提供設置在所述輸送器上方并與所述第一空氣刀偏移距離D的第二空氣刀，所述距離D小于所述半導體基材的所述長度L；

將所述半導體基材放置在所述輸送器上，其中所述材料層取向成背離所述輸送器，所述半導體基材被放置在所述輸送器上在所述第一空氣刀之前并且在所述第二空氣刀之前；

使所述半導體基材沿所述輸送器并且在所述第一空氣刀下方前進，使得所述半導體基材的一部分設置在所述第一空氣刀與所述第二空氣刀之間；

通過將蝕刻溶液分配到所述半導體基材的設置在所述第一空氣刀與所述第二空氣刀之間的所述部分上方的所述材料層上來形成蝕刻溶液池；

用所述蝕刻溶液池來蝕刻設置在所述第一空氣刀與所述第二空氣刀之間的所述材料層的一部分；以及

通過使所述半導體基材沿所述輸送器移動并經過所述第二空氣刀來從所述半導體基材的所述表面移除所述蝕刻溶液池以及被所述蝕刻溶液池蝕刻的所述材料層的至少一部分，其中所述蝕刻溶液池以在每分鐘50至100毫米范圍內的速率跨所述半導體基材移動，以向所述材料層提供充分時間以及對所述蝕刻溶液池的充分暴露以在15至300秒內完全移除。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述半導體基材包括原生半導體晶圓、重構半導體晶圓或板材，且其中所述重構半導體晶圓包括扇出晶圓，所述板材包括嵌入式晶粒板、芯片載體基材或印刷電路板(PCB)。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一空氣刀和所述第二空氣刀由包括1mm至20mm的寬度和大于200mm的長度的空氣流形成，其中所述空氣流以大于或等于每秒0.1米的速度移動。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一空氣刀和所述第二空氣刀攪動待被移除的所述材料層上的所述蝕刻溶液池以改善蝕刻。

5.一種從半導體基材上方移除材料層的至少一部分的方法，包括：

將蝕刻溶液分配在所述半導體基材上方以在所述半導體基材上方的所述材料層上形成蝕刻溶液池，其中所述蝕刻溶液池的覆蓋區小于所述半導體基材的覆蓋區；

進行使所述蝕刻溶液池相對于所述半導體基材移動或使所述半導體基材相對于所述蝕刻溶液池移動中的至少一者；

用至少一個空氣刀在所述半導體基材上限定所述蝕刻溶液池的池邊界，使得所述蝕刻溶液池在所述蝕刻溶液池的所述覆蓋區內蝕刻所述半導體基材上方的所述材料層；以及

用所述至少一個空氣刀移除所述蝕刻溶液以及被所述蝕刻溶液池蝕刻的所述材料層的至少一部分，其中所述蝕刻溶液池以在每分鐘50至100毫米范圍內的速率跨所述半導體基材移動，以向所述材料層提供充分時間以及對所述蝕刻溶液池的充分暴露以在15至300秒內完全移除。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述半導體基材包括原生半導體晶圓、重構半導體晶圓或板材，且其中所述重構半導體晶圓包括扇出晶圓，所述板材包括嵌入式晶粒板、芯片載體基材或印刷電路板(PCB)。

7.根據權利要求5所述的方法，其中進行使所述蝕刻溶液池相對于所述半導體基材移動或使所述半導體基材相對于所述蝕刻溶液池移動中的至少一者進一步包括將所述半導體基材放置在使所述半導體基材相對于所述至少一個空氣刀的固定位置移動的輸送器上。

8.根據權利要求5所述的方法，其中進行使所述蝕刻溶液池相對于所述半導體基材移動或使所述半導體基材相對于所述蝕刻溶液池移動中的至少一者進一步包括使所述至少一個空氣刀相對于所述半導體基材的固定位置移動。