[發(fā)明專利]接合用銅糊料、接合體的制造方法及半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680051483.5
• 申請日: 2016-09-07
• 公開（公告）號: CN107921540B
• 公開（公告）日: 2020-03-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 石川大;川名祐貴;須鐮千繪;中子偉夫;江尻芳則;蔵淵和彥
• 申請（專利權(quán)）人: 日立化成株式會社
• 主分類號: B22F7/08
• 分類號: B22F7/08;B22F1/00;C04B37/02;H01B1/00;H01B1/22;H01L21/52
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 白麗

1.一種接合用銅糊料，其為含有金屬粒子和分散介質(zhì)的接合用銅糊料，其中，所述金屬粒子含有體積平均粒徑為0.12μm以上且0.8μm以下的亞微米銅粒子和最大徑為1μm以上且20μm以下、長寬比為4以上的薄片狀微米銅粒子，且所述金屬粒子所含的最大徑為1μm以上且20μm以下、長寬比小于2的微米銅粒子的含量以所述薄片狀微米銅粒子總量為基準計為50質(zhì)量％以下，

所述亞微米銅粒子的含量以所述亞微米銅粒子的質(zhì)量及所述薄片狀微米銅粒子的質(zhì)量之和為基準計為40質(zhì)量％以上且80質(zhì)量％以下，

所述亞微米銅粒子的含量及所述薄片狀微米銅粒子的含量之和以所述金屬粒子的總質(zhì)量為基準計為80質(zhì)量％以上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合用銅糊料，其為無加壓接合用。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的接合用銅糊料，其中，所述薄片狀微米銅粒子的含量以所述金屬粒子的總質(zhì)量為基準計為20質(zhì)量％以上且50質(zhì)量％以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的接合用銅糊料，其中，所述金屬粒子含有選自鎳、銀、金、鈀、鉑中的至少1種金屬粒子。

5.一種接合體的制造方法，其具備以下工序：

準備層疊有第一構(gòu)件、以及在該第一構(gòu)件的自重作用方向一側(cè)上依次為權(quán)利要求1～4中任一項所述的接合用銅糊料及第二構(gòu)件的層疊體，在受到所述第一構(gòu)件的自重、或者在受到所述第一構(gòu)件的自重及0.01MPa以下的壓力的狀態(tài)下對所述接合用銅糊料進行燒結(jié)。

6.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其具備以下工序：

準備層疊有第一構(gòu)件、以及在該第一構(gòu)件的自重作用方向一側(cè)上依次為權(quán)利要求1～4中任一項所述的接合用銅糊料及第二構(gòu)件的層疊體，在受到所述第一構(gòu)件的自重、或者在受到所述第一構(gòu)件的自重及0.01MPa以下的壓力的狀態(tài)下對所述接合用銅糊料進行燒結(jié)，

所述第一構(gòu)件及所述第二構(gòu)件中的至少一個為半導(dǎo)體元件。

7.一種接合體，其具備第一構(gòu)件、第二構(gòu)件、以及將所述第一構(gòu)件與所述第二構(gòu)件接合的權(quán)利要求1～4中任一項所述的接合用銅糊料的燒結(jié)體。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的接合體，其中，所述第一構(gòu)件及第二構(gòu)件中的至少一個在與所述燒結(jié)體相接觸的面中含有選自銅、鎳、銀、金及鈀中的至少1種金屬。

9.一種半導(dǎo)體裝置，其具備第一構(gòu)件、第二構(gòu)件、以及將所述第一構(gòu)件與所述第二構(gòu)件接合的權(quán)利要求1～4中任一項所述的接合用銅糊料的燒結(jié)體，

所述第一構(gòu)件及所述第二構(gòu)件中的至少一個為半導(dǎo)體元件。