[發明專利]移除接著劑的方法與裝置在審
| 申請號: | 201680051025.1 | 申請日: | 2016-08-17 |
| 公開(公告)號: | CN108139664A | 公開(公告)日: | 2018-06-08 |
| 發明(設計)人: | 樸一賢;趙大燁;金煐中 | 申請(專利權)人: | EO科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/68 | 分類號: | G03F1/68;G03F1/66;B08B7/00 |
| 代理公司: | 北京世譽鑫誠專利代理事務所(普通合伙) 11368 | 代理人: | 仲伯煊 |
| 地址: | 韓國京畿道*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光束 接著劑 光罩 照射 接著劑層 薄層 激光照射部 去除裝置 波長 去除 移除 監控 拍攝 | ||
揭示一種自光罩上去除光罩與薄層接著的接著劑的裝置。接著劑去除裝置包括:激光照射部,向形成于上述光罩與上述薄層之間的接著劑層照射激光束;控制部,控制上述激光束的波長、波形及能量密度,以便借由照射上述激光束而去除上述接著劑層;以及拍攝部,對照射上述激光束的區域進行監控。
技術領域
本發明是有關于一種為了自光罩上分離薄層而去除光罩上的接著劑的裝置及方法。
背景技術
在制造半導體裝置或液晶顯示器等的電路圖案時,在平版印刷制程中使用光罩或主光罩(reticle)等曝光用基板。然而,若如污染物等的異物附著至此種曝光用基板,則平版印刷制程的精確度會下降,為了防止異物附著,將稱為薄層(Pellicle)的防塵罩安裝至光罩或主光罩上。
在大型積體電路(Large Scale Integration,LSI)、超LSI等半導體器件或液晶顯示板等的制造制程中,借由介隔光罩(曝光圓板,也稱為主光罩)向感光層等照射光而進行圖案化。此時,若在光罩附著有異物,則光會被異物吸收或因異物而彎曲。因此,產生形成的圖案變形或邊緣變得參差不齊而圖案的尺寸、品質及外觀等受損的問題。為了解決如上所述的問題,將稱為薄層(Pellicle)的防塵罩安裝至光罩上。
薄層包括金屬制的薄層框架及配置在薄層框架的一端面的薄層膜。另外,可在薄層框架的另一端面形成有用以將薄層固定至光罩的光罩接著劑。在薄層的壽命已盡或破損的情形時,需進行更換,為此應去除上述接著劑。
以前利用硫酸或有機化學物而借由濕式去除方式去除接著劑,但在此情形時,不僅去除接著劑,而且也會使光罩一并受損,存在接著劑去除制程變得非常嚴苛的問題。
發明內容
發明欲解決的課題
根據實施例,提供一種借由利用激光束去除形成于光罩與薄層之間的接著劑而分離薄層的方法及裝置。
解決課題的手段
在一觀點中,提供一種接著劑去除裝置,其是自光罩上去除將光罩與薄層接著的接著劑的裝置,接著劑去除裝置包括:激光照射部,向形成于光罩與薄層之間的接著劑層照射激光束;控制部,控制激光束的波長、波形及能量密度,以便借由照射激光束而去除接著劑層;以及拍攝部,對照射激光束的區域進行監控。
拍攝部可包括:照明光源,照射照明光;以及相機,對自照射激光束的區域反射的照明光進行拍攝。
接著劑去除裝置可包括鏡面,供照明光及激光束入射,使照明光及激光束中的任一者透射且使照明光及激光束中的另一者反射。
照明光的波長與激光束的波長不同。
拍攝部可包括濾光器,濾光器使入射至拍攝部的光出射時使與照明光的波長具有相同波長的光透射且遮斷與照明光的波長具有不同波長的光。
激光束的波長可為193nm至290nm。
照明光的波長可為570nm至770nm。
接著劑去除裝置可更包括輔助拍攝部,輔助拍攝部設置至激光束的行進路徑的外部,對在接著劑層及光罩上散射的照明光進行拍攝。
輔助拍攝部可包括:濾光器,遮斷激光束且使照明光透射;以及相機,對透射濾光器的照明光進行拍攝。
在另一觀點中,提供一種接著劑去除方法,其是自光罩上去除將光罩與薄層接著的接著劑的方法,接著劑去除方法至少包括如下步驟:控制激光束的波長、波形及能量密度,以便借由照射激光束而去除接著劑層的步驟;向形成于光罩與薄層之間的接著劑層照射激光束的步驟;以及獲取激光束照射的區域的拍攝圖像的步驟。
接著劑去除方法可包括如下步驟:當在拍攝圖像中判斷為已去除接著劑層的情形時,變更激光束照射的區域的步驟。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





