[發明專利]外延生長用取向氧化鋁基板有效
| 申請號： | 201680050576.6 | 申請日： | 2016-09-26 |
| 公開（公告）號： | CN108137411B | 公開（公告）日： | 2021-03-02 |
| 發明（設計）人： | 渡邊守道;佐藤圭;松島潔;七瀧努 | 申請（專利權）人： | 日本礙子株式會社 |
| 主分類號： | C04B35/111 | 分類號： | C04B35/111 |
| 代理公司： | 北京旭知行專利代理事務所(普通合伙) 11432 | 代理人： | 王軼;陳東升 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 外延 生長 取向 氧化鋁 | ||
【權利要求書】：
1.一種外延生長用取向氧化鋁基板，其特征在于，
構成表面的晶體粒子的傾斜角為0.1°以上且小于1.0°，
平均燒結粒徑為10μm以上。
2.根據權利要求1所述的外延生長用取向氧化鋁基板，其特征在于，
構成表面的晶體粒子的平均燒結粒徑為20μm以上。
3.根據權利要求1或2所述的外延生長用取向氧化鋁基板，其特征在于，
Na、Mg、Si、P、Ca、Fe、Ti、Zn各自的含量為1500ppm以下。
4.根據權利要求1或2所述的外延生長用取向氧化鋁基板，其特征在于，
Mg的含量為15ppm以上。
5.根據權利要求3所述的外延生長用取向氧化鋁基板，其特征在于，
Mg的含量為15ppm以上。
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