[發明專利]微結構表面

在審

• 申請號: 201680050464.0
• 申請日: 2016-07-01
• 公開（公告）號: CN108290731A
• 公開（公告）日: 2018-07-17
• 發明（設計）人: 拉爾夫·A·胡斯曼;肯尼思·N·塔克特二世;卡梅倫·L·麥克弗森;卡爾·L·胡斯曼;魯洛夫·特普;M·米爾博克;盧卡斯·G·布呂赫爾
• 申請（專利權）人: 呼瓦基有限責任公司;BVW控股公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B29C59/02;B29C59/04;B29C43/02
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 康艷青;姚開麗

1.一種微結構化表面，包括：

一種具有波狀表面的基材，在至少部分所述基材上形成一系列的圓形峰谷，構成連續曲面，其中所述波狀表面確定了第一組微特征；

第二組微特征模壓于第一組微特征上；

其中所述基材是壓縮模制的聚合材料；第一組和第二組微特征在單個模制步驟中成形于所述基材上，其中所述第一組和第二組微特征協同配合，從而增大表面積并影響所述基材的粘附性、摩擦力、親水性和疏水性中的至少一種性質。

2.在權利要求1所述的微結構化表面中，所述第二組微特征選自包含微結構化突起的組和微結構化凹陷的組，以及它們的組合。

3.在權利要求2所述的微結構化表面中，所述第二組微特征的所述微結構化突起包含通常呈圓柱形的柱狀物。

4.在權利要求2所述的微結構化表面中，所述第二組微特征的所述微結構化凹陷包含通常呈圓柱形的凹槽。

5.在權利要求1所述的微結構化表面中，所述第一組微特征置于所述基材上的上表面，在所述基材下表面上形成互補形狀，從而使所述上表面上的圓形峰在所述下表面上形成圓形谷，所述上表面上的所述圓形谷在所述下表面上形成圓形峰。

6.在權利要求1所述的微結構化表面中，所述第二組微特征包括所述基材上表面上的一系列微結構化突起，在所述基材的下表面上形成一系列互補的微結構化凹陷。

7.在權利要求1所述的微結構化表面中，所述第二組微特征包括所述基材上表面上的一系列微結構化凹陷，在所述基材下表面上形成一系列互補的微結構化突起。

8.在權利要求1所述的微結構化表面中，所述第二組微特征的至少部分微特征沿與所述基材波狀表面曲線垂直的軸延伸。

9.在權利要求1所述的微結構化表面中，所述第一組微特征包括選自大約100微米至大約999微米范圍內的尺寸。

10.在權利要求1所述的微結構化表面中，所述第二組微特征包括選自大約10微米至大約100微米范圍內的尺寸。

11.在權利要求1所述的微結構化表面中，所述第二組微特征的高度與寬度之比小于5，并且所述第二組微特征的每個微特征之間的最小間隔是1微米，以保持結構強度，同時允許液體在所述第二組微特征之間流動和滲透。

12.權利要求1的微結構化表面，包括置于所述基材上的第三組微特征，該表面選自包含微結構化突起的組和微結構化凹陷的組，以及它們的組合。

13.在權利要求12所述的微結構化表面中，所述第三組微特征與所述第一組和第二組微特征同時壓縮成型。

14.在權利要求12所述的微結構化表面中，所述第三組微特征的高度與寬度之比小于5，并且所述第三組微特征的每個微特征之間的最小間隔是1微米，以保持結構強度，同時允許液體在所述第三組微特征之間流動和滲透。

15.在權利要求12所述的微結構化表面中，所述第三組微特征的至少部分微特征沿與所述基材波狀表面曲線垂直的軸延伸。

16.在權利要求12所述的微結構化表面中，所述第三組微特征的微結構化突起包含通常呈圓柱形的柱狀物。

17.在權利要求12所述的微結構化表面中，所述第三組微特征的所述微結構化凹陷包含通常呈圓柱形的凹槽。

18.在權利要求12所述的微結構化表面中，所述第三組微特征置于所述第二組微特征的端面上。