[發(fā)明專利]測量光刻工藝參數(shù)的方法和設備、襯底以及該方法中使用的圖案化裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680049910.6
• 申請日: 2016-08-22
• 公開（公告）號: CN107924140B
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發(fā)明（設計）人: M·范德沙;張幼平;H·J·H·斯米爾德;A·蔡亞馬斯;A·J·范李斯特;A·弗瑪;T·希尤維斯;H·A·J·克拉默;P·C·欣南
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;崔卿虎

1.一種測量光刻工藝的參數(shù)的方法，包括：

使用所述光刻工藝來提供第一目標結構和第二目標結構，所述第一目標結構和所述第二目標結構中的每個目標結構包括使用第一光刻步驟和第二光刻步驟在襯底上的單個材料層中形成的二維周期性結構，

所述第一目標結構包括在所述第一光刻步驟中限定的柵格元件和在所述第二光刻步驟中通過部分地切割所述第一目標結構中的每個柵格元件而限定的特征，所述第一目標結構中的所述柵格元件的每個切割部分相對于所述柵格元件偏移第一偏差量，所述第一偏差量接近于所述柵格元件的空間周期的一半，并且

所述第二目標結構包括在所述第一光刻步驟中限定的柵格元件和在所述第二光刻步驟中通過部分地切割所述第二目標結構中的每個柵格元件而限定的特征，所述第二目標結構中的所述柵格元件的每個切割部分相對于所述柵格元件偏移第二偏差量，所述第二偏差量接近于所述柵格元件的空間周期的一半并且不同于所述第一偏差量；

利用輻射照射所述第一目標結構和所述第二目標結構；

獲取所述第一目標結構的角分辨散射光譜和所述第二目標結構的角分辨散射光譜；以及

使用在所述第一目標結構的所述角分辨散射光譜中發(fā)現(xiàn)的不對稱和在所述第二目標結構的所述角分辨散射光譜中發(fā)現(xiàn)的不對稱來得出所述參數(shù)的測量。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中獲取所述第一目標結構和所述第二目標結構的角分辨散射光譜包括檢測由所述第一目標結構和所述第二目標結構散射的零階輻射。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述第一目標結構和所述第二目標結構中的每個目標結構包括形成二維陣列的特征。

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述第一目標結構和所述第二目標結構中的每個目標結構包括在互補二維傅里葉空間中具有非零分量的特征。

5.根據(jù)權利要求1至4中任一項所述的方法，其中得出所述參數(shù)的步驟包括使用在所述第一目標結構和所述第二目標結構的所述角分辨散射光譜中發(fā)現(xiàn)的不對稱來計算與所述第一目標結構和所述第二目標結構有關的套刻誤差的測量。

6.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中使用在所述第一目標結構和所述第二目標結構的所述角分辨散射光譜中發(fā)現(xiàn)的不對稱包括使用所述角分辨散射光譜的與基準相等間隔的區(qū)域。

7.根據(jù)權利要求6所述的方法，其中所述基準是線。

8.根據(jù)權利要求6所述的方法，其中所述基準是點。

9.根據(jù)權利要求6所述的方法，其中在得出所述光刻工藝的所述參數(shù)中使用的所述不對稱的貢獻通過加權系數(shù)來被修改。

10.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中所述加權系數(shù)是從對稱的位置的不對稱雅可比行列式部分獲取的。

11.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中所述加權系數(shù)是從在不同套刻誤差下計算的不對稱雅可比行列式獲取的。

12.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中所述加權系數(shù)是從實驗設計獲取的。

13.一種計量設備，被布置為執(zhí)行根據(jù)權利要求1至12中任一項所述的方法。

14.一種光刻系統(tǒng)，包括：

用于在光刻工藝中使用的光刻設備；以及

根據(jù)權利要求13所述的計量設備，用于在使用至少部分地使用所述光刻設備形成的目標結構來測量所述光刻工藝的參數(shù)時使用。

15.一種計算機可讀介質，包括機器可讀指令，所述機器可讀指令當在合適的處理器上運行時引起所述處理器執(zhí)行根據(jù)權利要求1至12中任一項所述的方法的得出步驟。