[發(fā)明專利]含水銅鍍浴和用于將銅或銅合金沉積到基底上的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680048918.0
• 申請日: 2016-08-30
• 公開（公告）號: CN107923060B
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 海科·布魯納;拉爾斯·科爾曼;阿格尼斯茲卡·維特恰克;奧利維爾·曼
• 申請（專利權(quán)）人: 埃托特克德國有限公司
• 主分類號: C25D7/12
• 分類號: C25D7/12;C25D3/38
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王潛;郭國清

1.用于電解沉積銅或銅合金的含水銅鍍浴，所述含水銅鍍浴包含至少一種銅離子源和至少一種酸，其特征在于所述含水銅鍍浴包含至少一種雙脲衍生物，所述雙脲衍生物包含根據(jù)式(I)的雙脲結(jié)構(gòu)單元

其中A表示來自下式(A1)的二脲化合物的單元

其中

X¹和X²是二價殘基，所述二價殘基彼此獨立地選自

其中R¹和R²是單價殘基，所述單價殘基各自獨立地選自氫、烷基和聚氧化烯；

Y選自CH₂、O和S；

c是范圍為1至6的整數(shù)；c’是范圍為1至6的整數(shù)；

b是范圍為1至5的整數(shù)；

b’是范圍為1至5的整數(shù)；

Z是選自亞烷基、亞芳基和烯化氧化合物的二價橋連部分，其中所述烯化氧化合物由下式表示

-(CH₂)_d-[CH(R³)-CH₂-O]_e-(CH₂)_f-(CH(CH₃))_f’-，

其中d是范圍為0至3的整數(shù)；

e是范圍為1至100的整數(shù)；以及

f是范圍為1至3的整數(shù)；

f’是0或1；

每個R³彼此獨立地選自烷基、芳基和氫；

a是整數(shù)并且范圍為1至100；以及

D是二價殘基并且選自

-CH₂-CH(OH)-CH₂-、

-CH₂-CH(SH)-CH₂-、-(CH₂)_g-[CH(R⁴)-CH₂-O]_h-(CH₂)_i-和

-CH₂-CH(OH)-(CH₂)_j-[CH(R⁵)-CH₂-O]_k-(CH₂)_l-CH(OH)-CH₂-

其中g(shù)是范圍為0至4的整數(shù)；

h是范圍為1至100的整數(shù)；

i是范圍為1至4的整數(shù)；

每個R⁴彼此獨立地選自烷基、芳基和氫；

j是范圍為1至4的整數(shù)；

k是范圍為1至100的整數(shù)；

l是范圍為1至4的整數(shù)；

每個R⁵彼此獨立地選自烷基、芳基和氫；

并且如果a是2或更大，則彼此獨立地選擇每個A和每個D，

并且其中所述含水銅鍍浴不含鋅離子。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含水銅鍍浴，其特征在于其它可還原的金屬離子與銅離子的質(zhì)量比的范圍為1/1至0/1。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2中任一項所述的含水銅鍍浴，其特征在于所述其它可還原的金屬離子選自金離子、錫離子、銀離子和鈀離子。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的含水銅鍍浴，其特征在于所述含水銅鍍浴不含其它可還原的金屬離子。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的含水銅鍍浴，其特征在于X¹和X²被選擇為相同的。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的含水銅鍍浴，其特征在于b和b’是相同的并且范圍為1至2。