[發明專利]無電鍍方法與所得產物

在審

• 申請號: 201680047519.2
• 申請日: 2016-08-11
• 公開（公告）號: CN107949657A
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發明（設計）人: 吉安弗蘭可·阿拉斯塔;亨尼根·加雷思;安德魯·西蒙·霍爾·布魯克斯;沙林達·維克拉姆·辛格
• 申請（專利權）人: 賽姆布蘭特有限公司
• 主分類號: C23C18/16
• 分類號: C23C18/16;C23C16/04;C23C16/40;H05K3/10
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 王蕊,臧建明

1.一種無電鍍方法，其中通過使經抗無電鍍涂層圖案化的基底與無電鍍溶液接觸來進行無電鍍，從而通過無電鍍，使金屬沉積到所述基底上未經所述抗無電鍍涂層圖案化的部分，

所述抗無電鍍涂層具有多層，其中每層能夠通過前體混合物的等離子體沉積來獲得，所述前體混合物包括：(a)一種或多種有機硅化合物；(b)可選的O₂、N₂O、NO₂、H₂、NH₃、N₂、SiF₄和/或六氟丙烯HFP；以及(c)可選的He、Ar和/或Kr。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述抗無電鍍涂層具有2至10層，優選為4至8層。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述等離子體沉積是等離子體增強化學氣相沉積PECVD。

4.根據以上任一項權利要求所述的方法，其中所述等離子體沉積在0.001至10毫巴的壓強下發生。

5.根據以上任一項權利要求所述的方法，其中所述抗無電鍍涂層中與所述基底接觸的第一層/最下層是有機的。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述抗無電鍍涂層的所述第一層/最下層能夠通過不含或基本不含O₂、N₂O或NO₂的前體混合物的等離子體沉積來獲得。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述抗無電鍍涂層的所述第一層/最下層能夠通過不含或基本不含O₂、N₂O、NO₂、含氟有機硅化合物、SiF₄或HFP的前體混合物的等離子體沉積來獲得。

8.根據以上任一項權利要求所述的方法，其中所述抗無電鍍涂層的最終層/最上層能夠通過不含或基本不含O₂、N₂O或NO₂的前體混合物的等離子體沉積來獲得。

9.根據以上任一項權利要求所述的方法，其中所述抗無電鍍涂層的最終層/最上層能夠通過包括一種或多種含鹵素有機硅化合物、SiF₄和/或HFP的前體混合物的等離子體沉積來獲得。

10.根據以上任一項權利要求所述的方法，其中所述多抗無電鍍涂層的最終層/最上層能夠通過包括He、Ar和/或Kr的前體混合物的等離子體沉積來獲得。

11.根據以上任一項權利要求所述的方法，其中所述抗無電鍍涂層的至少一層是防潮層，所述防潮層能夠通過包括O₂、N₂O和/或NO₂的前體混合物的等離子體沉積來獲得。

12.根據以上任一項權利要求所述的方法，其中所述抗無電鍍涂層的至少一層是防潮層，所述防潮層能夠通過包括含氮有機硅化合物、N₂、NO₂、N₂O和/或NH₃的前體混合物的等離子體沉積來獲得。

13.根據權利要求11或12所述的方法，其中所述能夠從其獲得所述至少一個防潮層的前體混合物還包括He、Ar和/或Kr。

14.根據權利要求11至13中任一項所述的方法，其中所述至少一個防潮層位于所述抗無電鍍涂層的所述第一層/最下層和所述最終層/最上層之間。