[發(fā)明專利]超低功率超低噪聲傳聲器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201680047358.7 | 申請(qǐng)日： | 2016-07-11 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107925823A | 公開（公告）日： | 2018-04-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 厄茲·加拜 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 懷斯迪斯匹有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H04R3/06 | 分類號(hào)： | H04R3/06;H04R19/01;H03F3/45 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11290 | 代理人： | 曹正建,陳桂香 |
| 地址： | 以色列*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 功率 噪聲 傳聲器 | ||
1.一種傳聲器，其包括：
晶體管，其包括JFET晶體管和MOSFET晶體管中的至少一者；
輸入阻抗網(wǎng)絡(luò)，其包括與所述晶體管的柵極端子連接的第一端子；
源極電阻器，其包括與所述晶體管的源極端子連接的第一端子以及與接地端子連接的第二端子；
旁路電容器(CS)，其并聯(lián)連接到所述源極電阻器；
負(fù)載電阻器(RD)，其包括與所述晶體管的漏極端子連接的第一端子；
電荷泵，其用于產(chǎn)生：
低電壓(VCC_LOW)，其連接到所述負(fù)載電阻器的所述第二端子；和
反相電壓(-VEE)，其連接到運(yùn)算放大器的第一電源節(jié)點(diǎn)；所述運(yùn)算放大器，其包括：
第一輸入端子，其通過雙向低通濾波器連接到所述晶體管的所述源極端子；
第二輸入端子，其連接到參考電壓Vref；
第一電源端子，其連接到所述反相電壓；
第二電源端子，其連接到主電源電壓；和
輸出端子，其通過另一低通濾波器連接到所述輸入阻抗網(wǎng)絡(luò)的第二端子；以及
駐極體電容器，其并聯(lián)連接到所述輸入阻抗網(wǎng)絡(luò)。
2.一種傳聲器，其包括：
晶體管，其包括JFET晶體管和MOSFET晶體管中的至少一者；
輸入阻抗網(wǎng)絡(luò)，其包括與所述晶體管的柵極連接的第一端子；
源極電阻器，其包括與所述晶體管的源極端子連接的第一端子以及與接地端子連接的第二端子；
旁路電容器(CS)，其并聯(lián)連接到所述源極電阻器；
負(fù)載電阻器(RD)，其包括與所述晶體管的漏極端子連接的第一端子；
電荷泵，其用于產(chǎn)生：
低電壓電源VCC_LOW，其連接到所述負(fù)載電阻器的第二端子；和
反相電壓-VEE，其連接到運(yùn)算放大器的第一電源端子；
所述運(yùn)算放大器，其包括：
第一輸入端子，其通過雙向低通濾波器連接到所述晶體管的所述源極端子；
第二輸入端子，其連接到參考電壓Vref；
第一電源端子，其連接到所述反相電壓；
第二電源端子，其連接到主電源電壓；和
輸出端子，其通過另一低通濾波器連接到所述輸入阻抗網(wǎng)絡(luò)的第二端子；以及
輸入源，其包括：
MEMS電容器，其包括接地的第一端子以及與MEMS偏置網(wǎng)絡(luò)的第一端子連接的第二端子；
MEMS偏置網(wǎng)絡(luò)，其包括與偏置電壓(VBB)連接的第二端子；和
耦合電容器，其包括與所述MEMS電容器的第二端子連接的第一端子以及與所述晶體管的所述柵極端子連接的第二端子。
3.一種傳聲器，其包括：
晶體管，其包括JFET晶體管和MOSFET晶體管中的至少一者；
輸入阻抗網(wǎng)絡(luò)，其包括與所述晶體管的柵極端子連接的第一端子；
源極電阻器，其第一端子連接到所述晶體管的所述源極端子，且其第二端子連接到所述接地端子；
旁路電容器(CS)，其并聯(lián)連接到所述源極電阻器；
負(fù)載電阻器(RD)，其包括與所述晶體管的漏極端子連接的第一端子；
電荷泵，其用于產(chǎn)生：
低電壓電源(VCC_LOW)，其連接到所述負(fù)載電阻器的第二端子；和
反相電壓(-VEE)，其連接到運(yùn)算放大器的第一電源端子；
所述運(yùn)算放大器，其包括：
第一輸入端子，其連接到參考電壓；
第二輸入端子，其通過差分雙向低通濾波器連接到所述負(fù)載電阻器；
第一電源端子，其連接到所述反相電壓；
第二電源端子，其連接到主電源電壓；和
輸出端子，其通過另一低通濾波器連接到所述輸入阻抗網(wǎng)絡(luò)的第二端子；以及
輸入駐極體電容器源，其并聯(lián)連接到所述輸入阻抗網(wǎng)絡(luò)。
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