[發明專利]自組裝的垂直對準的多芯片組件

有效

• 申請號: 201680047268.8
• 申請日: 2016-08-08
• 公開（公告）號: CN107924033B
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: I·舒彬;鄭學哲;李金洞;K·拉杰;A·V·卡里什納莫蒂
• 申請（專利權）人: 甲骨文國際公司
• 主分類號: G02B6/42
• 分類號: G02B6/42;G02B6/12;H01S5/30
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 邊海梅

1.一種多芯片組件，包括：

具有第一表面和第四表面的第一基板，其中所述第四表面在所述第一基板的所述第一表面的相對側上，并且所述第一基板包括在相對于所述第四表面的第一高度處布置在所述第一基板上的第一光波導；

具有第二表面和第五表面的第二基板，其中所述第五表面在所述第二基板的所述第二表面的相對側上，并且所述第二基板包括：

在相對于所述第五表面的第二高度處布置在所述第二基板上的第二光波導；以及

布置在所述第五表面上的具有厚度的間隔物；

具有第三表面的第三基板，所述第三表面機械地耦合到所述第一表面和所述第二表面；以及

具有第六表面的第四基板，所述第六表面機械地耦合到所述第四表面和所述間隔物的頂表面，其中所述間隔物的厚度使所述第一光波導與所述第二光波導對準，

其中所述第一高度等于所述第二高度與所述間隔物的厚度的和。

2.如權利要求1所述的多芯片組件，其中所述第一基板包括限定在除了硅以外的半導體中的半導體光學放大器。

3.如權利要求1或2所述的多芯片組件，其中所述第二基板包括光子芯片。

4.如權利要求3所述的多芯片組件，其中所述光子芯片包括：

所述第二基板；

布置在所述第二基板上的掩埋氧化物層；以及

布置在所述掩埋氧化物層上的半導體層，其中所述第二光波導限定在所述半導體層中。

5.如權利要求4所述的多芯片組件，其中所述第二基板、所述掩埋氧化物層和所述半導體層構成絕緣體上硅技術。

6.如權利要求1或2所述的多芯片組件，其中所述第一表面和所述第三表面包括具有親水材料的面對區域，并且所述第二表面和所述第三表面包括具有親水材料的面對區域。

7.如權利要求1或2所述的多芯片組件，其中所述第四表面和所述第六表面包括具有親水材料的面對區域。

8.如權利要求7所述的多芯片組件，其中所述第六表面包括在所述第四表面與所述第六表面之間的重疊區域外部的具有疏水材料的區域。

9.如權利要求8所述的多芯片組件，其中所述疏水材料包括以下中的一個：含氟聚合物和聚對二甲苯。

10.如權利要求8所述的多芯片組件，其中使用用氧的等離子體處理來制造所述疏水材料。

11.如權利要求1或2所述的多芯片組件，其中所述第五表面和所述第六表面包括具有親水材料的面對區域。

12.如權利要求11所述的多芯片組件，其中所述第六表面包括具有疏水材料的區域，所述區域在所述間隔物的頂表面與所述第六表面之間的重疊區域外部。

13.如權利要求12所述的多芯片組件，其中所述疏水材料包括以下中的一個：含氟聚合物和聚對二甲苯。

14.如權利要求12所述的多芯片組件，其中使用用氧的等離子體處理來制造所述疏水材料。

15.如權利要求1所述的多芯片組件，其中所述多芯片組件還包括在所述第四表面與所述第六表面之間的重疊區域之間以及在所述第五表面上的所述間隔物與所述第六表面之間的重疊區域之間的環氧樹脂層。

16.如權利要求1所述的多芯片組件，其中所述間隔物包括以下中的一個：金屬、聚合物和樹脂。

17.一種包括多芯片組件的系統，包括：

處理器；

存儲被配置為由所述處理器執行的程序模塊的存儲器；以及

根據權利要求1-16中任一項所述的多芯片組件。