[發明專利]AEI型沸石的制造方法

有效

• 申請號: 201680046871.4
• 申請日: 2016-08-09
• 公開（公告）號: CN107922205B
• 公開（公告）日: 2022-02-01
• 發明（設計）人: 石川智也;青山英和;吉光滿明;前浜誠司;三島崇禎;高光泰之
• 申請（專利權）人: 東曹株式會社
• 主分類號: C01B39/48
• 分類號: C01B39/48
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種AEI型沸石的制造方法，其特征在于，具備將組合物結晶并且滿足如下至少任一條件的結晶工序，所述組合物含有氧化鋁源、二氧化硅源、結構導向劑、鈉源和水、且結晶性硅酸鋁相對于氧化鋁源和二氧化硅源的總重量的重量比率為0重量％以上且10重量％以下，所述條件為：所述組合物的氫氧化物離子相對于二氧化硅的摩爾比為0.45以上，且結晶時間為75小時以下；所述組合物包含用(CH₃)₃RN⁺表示的陽離子，R為碳數1以上且4以下的烷基，該烷基任選包含1個以上的取代基，且結晶時間為72小時以下；或，結晶時間為80小時以上，所述組合物不包含用(CH₃)₃RN⁺表示的陽離子，R為碳數1以上且4以下的烷基，該烷基任選包含1個以上的取代基，且氫氧化物離子相對于二氧化硅的摩爾比低于0.45，

所述組合物不含具有Y型結構的結晶性硅酸鋁，

所述組合物的氟含量為100重量ppm以下，

所述組合物的磷含量為100重量ppm以下。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其中，所述氧化鋁源為非晶態的氧化鋁化合物。

3.根據權利要求1或2所述的制造方法，其中，所述氧化鋁源為由硫酸鋁、氯化鋁、氫氧化鋁、擬勃姆石、氧化鋁溶膠和非晶態硅酸鋁組成的組中的至少1種。

4.根據權利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述結構導向劑為哌啶鎓陽離子。

5.根據權利要求1或2所述的制造方法，其中，所述結構導向劑為由1,1,3,5-四甲基哌啶鎓陽離子、1,1-二乙基-2,6-二甲基哌啶鎓陽離子、1,1,2,6-四甲基哌啶鎓陽離子、1-乙基-1,2,6-三甲基哌啶鎓陽離子和1,1,2-三乙基哌啶鎓陽離子組成的組中的至少1種。

6.根據權利要求1或2所述的制造方法，其中，所述AEI型沸石的二氧化硅相對于氧化鋁的摩爾比為100以下。

7.根據權利要求1或2所述的制造方法，其中，所述組合物包含含有選自由鉀、銣和銫組成的組中的至少一種的化合物。

8.根據權利要求1或2所述的制造方法，其中，所述陽離子為由四甲基銨、乙基三甲基銨、(2-羥基乙基)三甲基銨和(2-羥基丙基)三甲基銨組成的組中的至少1種。

9.根據權利要求1或2所述的制造方法，其中，所述組合物的組成為以下的摩爾組成，以下的組成中的各比率為摩爾比率，M為除鈉以外的堿金屬，SDA為有機結構導向劑、且Q為季銨陽離子：

或者

10.根據權利要求1或2所述的制造方法，其中，所述組合物的組成為以下的摩爾組成，以下的組成中的各比率為摩爾比率，M為除鈉以外的堿金屬，SDA為有機結構導向劑、且Q為季銨陽離子：

或者