[發明專利]集成電路起爆器設備

有效

• 申請號: 201680046136.3
• 申請日: 2016-06-27
• 公開（公告）號: CN107923728B
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: J·H·G·斯科爾特斯;W·C·普林塞;M·J·范·德·蘭斯
• 申請（專利權）人: 荷蘭應用自然科學研究組織TNO
• 主分類號: F42B3/13
• 分類號: F42B3/13;F42B3/198;F42C19/08
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 郭艷芳;王琦

1.一種集成電路起爆器設備，包括：

-提供有電絕緣層的電路基底；

-沉積在所述電絕緣層上的導電橋接電路；

-所述導電橋接電路被圖案化為接觸區域以及連接所述接觸區域的橋接結構，所述橋接結構被布置用于在所述橋接結構被與所述接觸區域接觸的起爆器電路熔斷時形成等離子體；

-旋涂在所述橋接結構上的聚合物層，用于形成通過所形成的等離子體被推動遠離所述基底的飛片，

其中被圖案化為接觸區域以及連接所述接觸區域的橋接結構的所述導電橋接電路在摻雜硅層中被圖案化，所述摻雜硅層外延沉積在所述電絕緣層上，其中所述摻雜硅層包括來自III族元素的摻雜劑，并且其中所述導電橋接電路具有小于2*10^-5歐姆米的歐姆電阻。

2.根據權利要求1所述的起爆器設備，其中所述聚合物層具有小于50微米的層厚度。

3.根據權利要求2所述的起爆器設備，其中所述聚合物層被圖案化。

4.根據權利要求1所述的起爆器設備，其中所述導電橋接電路具有小于4微米的層厚度。

5.根據權利要求1所述的起爆器設備，其中所述橋接結構由錐形區域形成，所述錐形區域從接觸區域延伸到橋接區域中，所述橋接區域限定沿所述接觸區域之間的最短連接路徑的電流流動方向；所述橋接區域具有橫向于所述最短連接路徑的連接部分。

6.根據權利要求5所述的起爆器設備，其中所述橋接區域通過圓形邊緣連接到所述錐形區域。

7.根據權利要求1所述的起爆器設備，其中所述電絕緣層為二氧化硅層。

8.根據權利要求5所述的起爆器設備，其中所述接觸區域被提供有金屬互連焊盤。

9.根據權利要求8所述的起爆器設備，其中所述金屬互連焊盤由延伸到所述錐形區域中的鋁沉積物形成。

10.根據上述權利要求中任一項所述的起爆器設備，進一步包括用于引導所述飛片的筒體結構。