[發明專利]一種面積效率的和可擴展CMOS性能的方法在審
| 申請號： | 201680046108.1 | 申請日： | 2016-08-05 |
| 公開（公告）號： | CN108140580A | 公開（公告）日： | 2018-06-08 |
| 發明（設計）人： | 阿哈默德·侯薩姆·塔基 | 申請（專利權）人： | 阿哈默德·侯薩姆·塔基 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L29/786;H01L21/265;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京世譽鑫誠專利代理事務所(普通合伙) 11368 | 代理人： | 仲伯煊 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 面積效率 藍寶石 支路 器件結構 優化器件 有機襯底 可擴展 占位 絕緣 涵蓋 替代 | ||
【權利要求書】：
1.專有的基底結構/布局，在圖2、圖3A、圖3B、圖3C和圖4中示出(圖4是SON的情況)。所要求保護的權利要求也在“具體實施方式”部分中被充分描述?？梢园凑账枋龅闹笇гO計方法的描述將所述專有基礎布局排列以建立高電流器件。
2.本專利展示和演示的設計方法。其優化器件性能，實現最佳的面積效率布局。
以上兩項權利要求可以并且確實覆蓋替代BOX或藍寶石的任何類型的絕緣和/或有機襯底，如圖3A、圖3B和圖3C所示。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于阿哈默德·侯薩姆·塔基，未經阿哈默德·侯薩姆·塔基許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201680046108.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：隔離式III-N族半導體裝置
- 下一篇：隧道場效應晶體管
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
