[發明專利]以UV輔助方式將材料注入多孔膜

有效

• 申請號: 201680044019.3
• 申請日: 2016-06-02
• 公開（公告）號: CN107851558B
• 公開（公告）日: 2022-08-02
• 發明（設計）人: B·S·安德伍德;A·B·瑪里克
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/02;H01L21/205
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 楊學春;侯穎媖

1.一種在圖案化基板上處理縫隙填充電介質的方法，所述方法包含以下步驟：

在所述圖案化基板上形成含硅和氫的膜，其中所述含硅和氫的膜填充所述圖案化基板上的縫隙；以及

使所述含硅和氫的膜暴露于含碳和氫的前體，同時使所述含硅和氫的膜暴露于UV光，其中所述含碳和氫的前體包含兩個、三個或四個碳原子并且在兩個碳原子之間具有三共價鍵。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述含碳和氫的前體包含C₂H₂。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述含碳和氫的前體由氫和碳所組成。

4.如權利要求1所述的方法，其中形成所述含硅和氫的膜的步驟包含以下步驟：在所述圖案化基板的表面上初始沉積之后使材料流入所述縫隙中。

5.如權利要求1所述的方法，其中在暴露所述含硅和氫的膜的操作之后得到的所述含硅和氫的膜不含硅、碳、氮、氫及氧以外的元素。

6.如權利要求1所述的方法，其中在暴露所述含硅和氫的膜時所述圖案化基板的溫度小于150℃。

7.如權利要求1所述的方法，其中所述含硅和氫的膜為多孔膜。

8.一種在圖案化基板中填充縫隙的方法，所述方法包含以下步驟：

使低k電介質材料流入所述圖案化基板上的所述縫隙中；

使所述低k電介質材料暴露于乙炔；以及

使所述圖案化基板暴露于UV光，其中使所述圖案化基板暴露于UV光及使所述低k電介質材料暴露于所述乙炔的操作同時發生。

9.如權利要求8所述的方法，其中在使所述低k電介質材料暴露于所述乙炔的操作之前，所述低k電介質材料由硅、氧、碳及氫所組成。

10.如權利要求8所述的方法，其中在使所述低k電介質材料暴露于乙炔之后得到的所述低k電介質材料具有介于2.2和3.0之間的介電常數。

11.一種強化縫隙填充材料的方法，所述方法包含以下步驟：

將包含縫隙的圖案化基板傳送到基板處理室的基板處理區域中，其中所述縫隙用多孔電介質進行填充；

使乙炔流入所述基板處理區域中，同時在所述縫隙上照射UV光；

加熱所述圖案化基板，其中加熱所述圖案化基板使所述縫隙的底部附近的所述多孔電介質收縮小于35％。

12.如權利要求11所述的方法，其中所述縫隙的高度對寬度的深寬比大于5：1。