[發明專利]用于制造器件的方法和器件

有效

• 申請號: 201680043905.4
• 申請日: 2016-07-20
• 公開（公告）號: CN107924977B
• 公開（公告）日: 2020-03-06
• 發明（設計）人: 馬丁·翁特比格爾
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/54
• 分類號: H01L33/54
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 丁永凡;張春水

1.一種用于制造具有半導體本體(10)的器件(100)的方法，所述方法具有如下方法步驟：

a)提供所述半導體本體(10)，所述半導體本體具有輻射透射面(11)和背離所述輻射透射面的后側(12)，其中所述半導體本體在所述后側上具有用于電接觸所述半導體本體(10)的聯接點(70)，

b)提供復合載體(90)，所述復合載體具有導電的載體層(91)和施加到所述載體層(91)上的部分硬化的連接層(92)，

c)將所述半導體本體(10)施加到所述復合載體(90)上，使得所述聯接點(70)進入到部分硬化的所述連接層(92)中，

d)硬化所述連接層(92)，以形成由所述半導體本體(10)和所述復合載體(90)構成的牢固的復合件，

e)在硬化所述連接層之后，將成形體材料施加到所述復合載體上，以形成成形體(50)，其中所述成形體覆蓋所述半導體本體的側面(13)，

f)構成穿過所述載體層(91)和所述連接層(92)的凹部(93)，以露出所述聯接點(70)，和

g)用導電材料填充所述凹部(93)，使得所述導電材料與所述聯接點(70)和所述載體層(91)電接觸，

h)所述半導體本體(10)在填充所述凹部(93)之后立即電短路，并且在填充的所述凹部(93)之間構成中間溝槽(94)，使得通過所述中間溝槽(94)消除電短路。

2.根據權利要求1所述的方法，

其中所述連接層(92)由用纖維強化的樹脂材料形成，并且用構成為金屬薄膜的所述載體層(91)完全地包覆。

3.根據權利要求1或2所述的方法，

其中所述載體層(91)是銅薄膜，并且所述連接層(92)是用玻璃纖維強化的環氧樹脂層。

4.根據權利要求1或2所述的方法，

其中將所述載體層(91)作為銅層提供，并且借助于將粘接劑施加到所述載體層(91)上來構成所述連接層(92)。

5.根據權利要求1或2所述的方法，

其中將所述成形體材料以囊封料的形式提供，并且借助于澆注法構成所述成形體(50)，使得所述成形體覆蓋所述半導體本體(10)的側面。

6.根據權利要求1或2所述的方法，

其中借助于薄膜輔助澆注來構成所述成形體(50)，其中所述半導體本體(10)在橫向方向上全環周地由所述成形體(50)包圍。

7.根據權利要求1或2所述的方法，

其中所述半導體本體(10)在所述后側(12)上具有兩個電聯接點(70)，所述電聯接點屬于所述半導體本體(10)的不同的電極性，其中在步驟f)中構成穿過所述載體層(91)和所述連接層(92)的兩個彼此橫向間隔開的凹部(93)，以露出所述聯接點(70)。

8.根據權利要求1或2所述的方法，

其中用與所述載體層(91)的材料相同的材料填充所述凹部(93)。

9.根據權利要求1或2所述的方法，

其中所述聯接點(70)由銅構成，或者用銅覆層，所述載體層(91)由銅構成，并且所述凹部(93)用銅填充。

10.根據權利要求1或2所述的方法，

其中所述半導體本體(10)作為未封裝的半導體芯片的一部分提供，所述半導體芯片在所述后側(12)上具有兩個電聯接點，并且所述器件(100)在制成之后具有用于所述半導體本體(10)的殼體(20)，其中所述殼體(20)由連貫的復合件構成，所述復合件由所述成形體(50)、所述載體層(91)和所述連接層(92)構成。