[發(fā)明專利]用于配電的導(dǎo)電密封環(huán)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680043145.7
• 申請日: 2016-06-29
• 公開（公告）號: CN107851635B
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: C·N·布林德爾;A·阿里亞加達
• 申請（專利權(quán)）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H01L23/58
• 分類號: H01L23/58;H01L23/522
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華;羅利娜

1.一種多塊半導(dǎo)體器件，包括：

半導(dǎo)體管芯，具有第一塊和第二塊，所述第一塊和所述第二塊以彼此不同的功率狀態(tài)操作，其中所述管芯包括：

基底；以及

絕緣層；以及

在所述絕緣層上的密封環(huán)，所述密封環(huán)圍繞所述管芯的周邊并且氣密地密封所述第一塊和所述第二塊，其中所述密封環(huán)用作所述第一塊而不是所述第二塊的電源總線；

其中所述密封環(huán)和所述第一塊電耦合到第一接地節(jié)點，所述第一接地節(jié)點在管芯級別上與所述多塊半導(dǎo)體器件中的其他接地節(jié)點電隔離；

其中所述第二塊位于所述管芯的中央?yún)^(qū)域中，并且所述第一塊至少部分包圍所述第二塊，并且其中所述第一塊被放置在所述密封環(huán)與所述第二塊的至少兩側(cè)之間；并且

其中所述多塊半導(dǎo)體器件中的所述第一接地節(jié)點和所述其他接地節(jié)點在模塊級別上共享公共接地。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述第一塊通過圍繞所述第二塊形成U形而至少部分包圍所述第二塊。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述密封環(huán)包括一個或多個金屬層的堆疊。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其中所述密封環(huán)包括所述金屬層之間的通孔。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述密封環(huán)具有10微米或更大的橫截面寬度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述第一塊包括射頻電路。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，還包括圍繞所述半導(dǎo)體管芯的周邊的金屬接觸墊，其中多條金屬線散布在所述金屬接觸墊之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述半導(dǎo)體管芯被封裝在倒裝芯片封裝件中。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述密封環(huán)被配置為向所述第一塊提供靜電放電保護。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述密封環(huán)包括多個金屬層的堆疊以及所述金屬層中的頂部金屬層上方的氮化硅層。

11.一種多塊半導(dǎo)體器件，包括：

半導(dǎo)體管芯，具有第一塊和第二塊，所述第一塊和所述第二塊以彼此不同的功率狀態(tài)操作，所述第二塊位于所述管芯的中央?yún)^(qū)域中，其中所述管芯包括：

基底；以及

絕緣層；

密封環(huán)，圍繞所述管芯的周邊并且氣密地密封所述第一塊和所述第二塊，所述密封環(huán)在所述絕緣層上，其中所述密封環(huán)用作所述第一塊而不是所述第二塊的電源總線；以及

多條金屬線，將所述密封環(huán)電連接到所述第一塊，所述多條金屬線圍繞所述半導(dǎo)體管芯的大部分周邊而均勻地間隔開；

其中所述密封環(huán)和所述第一塊電耦合到第一接地節(jié)點，所述第一接地節(jié)點在管芯級別上與所述多塊半導(dǎo)體器件中的其他接地節(jié)點電隔離；

其中所述第一塊至少部分包圍所述第二塊，并且其中所述第一塊被放置在所述密封環(huán)與所述第二塊的至少兩側(cè)之間；并且

其中所述多塊半導(dǎo)體器件中的所述第一接地節(jié)點和所述其他接地節(jié)點在模塊級別上共享公共接地。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其中所述第一塊通過圍繞所述第二塊形成U形而至少部分包圍所述第二塊。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其中所述第一塊包括射頻電路。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，還包括圍繞所述半導(dǎo)體管芯的周邊的金屬接觸墊，其中所述多條金屬線散布在所述金屬接觸墊之間。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其中所述半導(dǎo)體管芯被封裝在倒裝芯片封裝件中。

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其中所述密封環(huán)被配置為向所述第一塊提供靜電放電保護。

17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其中所述密封環(huán)包括多個金屬層的堆疊以及所述金屬層中的頂部金屬層上方的氮化硅層。