[發(fā)明專利]金剛石拉絲模

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680043048.8
• 申請日: 2016-07-22
• 公開（公告）號: CN107848002B
• 公開（公告）日: 2020-03-13
• 發(fā)明（設計）人: 湯川實;末光文也;木下卓哉;住本繁俊;小林豐;植田曉彥;辰巳夏生;西林良樹;角谷均
• 申請（專利權）人: 住友電工硬質合金株式會社;住友電氣工業(yè)株式會社;聯合材料公司
• 主分類號: B21C3/02
• 分類號: B21C3/02;C23C16/27;C30B29/04
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王海川;穆德駿

1.一種金剛石拉絲模，其包含設置有用于拉拔絲材的孔的金剛石，

所述金剛石為CVD單晶金剛石，

所述孔的軸相對于所述金剛石的晶面的法線方向傾斜，

其中，所述金剛石的上下表面是相對于(110)面傾斜0.1°至15°的表面，所述上下表面是指所述金剛石的上表面和下表面，并且所述金剛石拉絲模的孔從上表面延伸到下表面。

2.根據權利要求1所述的金剛石拉絲模，其中，

在從所述絲材流動的上游側到下游側的方向上，所述孔包括縮小部、具有直徑D的定徑部、出口角部和出口部以限定所述孔，并且

在沿著所述孔的軸的橫截面中的所述孔的形狀中，所述定徑部的長度為0.4D以上且1.5D以下。

3.根據權利要求2所述的金剛石拉絲模，其中，

所述直徑D小于50μm，并且從所述出口角部到所述出口部的所述孔的橫截面形狀是凹的曲線形狀。

4.根據權利要求1所述的金剛石拉絲模，其中，

所述金剛石拉絲模以在拉絲期間面積縮小率為8％以上且25％以下的方式使用。

5.根據權利要求1所述的金剛石拉絲模，其中，

所述金剛石拉絲模用于拉拔金屬絲或設置有各種類型的金屬鍍層的所述金屬絲的絲中的任一種，所述金屬絲包括銅基金屬絲、鐵基金屬絲、金絲、銀絲、黃銅絲、鋁絲、鋁合金絲和鎢絲。

6.根據權利要求1所述的金剛石拉絲模，其中，

將單晶金剛石用于所述金剛石，且在所述單晶金剛石的晶體生長主表面的X射線形貌圖像中，晶體缺陷點的組聚集而存在，各個所述晶體缺陷點是到達所述晶體生長主表面的晶體缺陷線的前端點，所述晶體缺陷線表示其中存在晶體缺陷的線，且所述晶體缺陷點的密度大于2mm^-2。

7.根據權利要求6所述的金剛石拉絲模，其中，

所述晶體缺陷點中的組合位錯點的密度大于2mm^-2，各個所述組合位錯點是到達所述晶體生長主表面的組合位錯的前端點，所述組合位錯由多個刃型位錯和多個螺旋位錯中的至少任一者的組合產生。

8.根據權利要求6所述的金剛石拉絲模，其中，

所述金剛石包括兩個主表面和位于所述兩個主表面之間的多個單晶金剛石層，并且所述晶體缺陷線在所述兩個單晶金剛石層之間的邊界處支化成多個晶體缺陷線以增加朝向所述主表面中的一個主表面的所述晶體缺陷線的數量。

9.根據權利要求6所述的金剛石拉絲模，其中，

多個晶體缺陷線狀聚集區(qū)域平行存在，并且在所述多個晶體缺陷線狀聚集區(qū)域中，所述晶體缺陷點的組以線狀延伸。

10.根據權利要求6所述的金剛石拉絲模，其中，

1ppm以上的氮原子作為雜質原子包含在所述單晶金剛石中，且所述氮原子是除孤立置換型氮原子以外的氮原子。

11.根據權利要求6所述的金剛石拉絲模，其中，當所述單晶金剛石以500μm厚度測定或被換算成500μm時，對400nm光的透射率為60％以下。

12.根據權利要求1所述的金剛石拉絲模，其中，

所述孔的軸相對于所述金剛石的晶面的法線方向傾斜1°至8°。