[發明專利]處理襯底的設備、系統及方法

有效

• 申請號: 201680042951.2
• 申請日: 2016-07-14
• 公開（公告）號: CN107851576B
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: 梁樹榮;科斯特爾·拜洛;葛蘭·吉爾克里斯特;維克拉姆·辛;克里斯多夫·坎貝爾;理查德·赫爾特;艾立克斯恩德·C·剛特司
• 申請（專利權）人: 瓦里安半導體設備公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H05H1/46;H01L21/02;H01L21/3213
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊貝貝;臧建明

1.一種處理襯底的設備，其特征在于，包括：

提取板，自等離子體室提取等離子體束并將所述等離子體束引導至所述襯底，所述等離子體束包含相對于所述襯底的平面的垂線而形成非零入射角的離子；以及

氣體出口系統，安置于所述等離子體室外部，所述氣體出口系統耦合至氣體源且被配置成將自所述氣體源接收的反應氣體遞送至所述襯底，其中所述反應氣體不通過所述等離子體室，且

其中氣體出口系統包括通道，所述通道沿所述等離子體室的邊緣延伸。

2.根據權利要求1所述的處理襯底的設備，其中所述通道終止于所述提取板，且其中所述氣體出口系統被配置成沿著所述等離子體束旁邊將所述反應氣體遞送至所述襯底。

3.根據權利要求1所述的處理襯底的設備，其中所述提取板包括提取開孔，所述提取開孔沿第一方向具有開孔寬度且沿垂直于所述第一方向的第二方向具有開孔長度，其中所述開孔寬度大于所述開孔長度，其中所述等離子體束為帶狀束，且其中所述氣體出口系統包括多個氣體孔口，其中所述多個氣體孔口沿著所述第一方向沿所述提取開孔的一側配置，且其中所述多個氣體孔口中的一個氣體孔口耦合至所述通道。

4.根據權利要求1所述的處理襯底的設備，其中所述反應氣體包含未離解氣體。

5.根據權利要求1所述的處理襯底的設備，其中所述反應氣體包含極性分子。

6.根據權利要求1所述的處理襯底的設備，其中所述反應氣體包含甲醇。

7.根據權利要求1所述的處理襯底的設備，其中所述反應氣體包含吸附物質，所述吸附物質在襯底結構上形成吸附涂層。

8.根據權利要求1所述的處理襯底的設備，其中所述氣體出口系統包括第一組出口及第二組出口，其中所述氣體源耦合至所述第一組出口，所述處理襯底的設備還包括第二氣體源，所述第二氣體源耦合至所述第二組出口且被構造成將第二反應氣體遞送至所述襯底。

9.一種處理襯底的系統，其特征在于，包括：

等離子體室，容納等離子體；

提取板，自所述等離子體室提取等離子體束并將所述等離子體束引導至所述襯底，所述等離子體束包含相對于所述襯底的平面的垂線而形成非零入射角的離子；以及

氣體出口系統，安置于所述等離子體室外部，所述氣體出口系統耦合至氣體源且被配置成將自所述氣體源接收的反應氣體遞送至所述襯底，其中所述反應氣體不通過所述等離子體室，且

其中氣體出口系統包括通道，所述通道沿所述等離子體室的邊緣延伸。

10.根據權利要求9所述的處理襯底的系統，其特征在于，所述提取板包括提取開孔，所述提取開孔沿第一方向具有開孔寬度且沿垂直于所述第一方向的第二方向具有開孔長度，其中所述開孔寬度大于所述開孔長度，其中所述等離子體束為帶狀束，所述系統還包括襯底支座，所述襯底支座被構造成沿所述第二方向掃描所述襯底。

11.根據權利要求10所述的處理襯底的系統，其中所述氣體出口系統包括多個氣體孔口，其中所述多個氣體孔口沿著所述第一方向沿所述提取開孔的一側配置，且其中所述多個氣體孔口中的一個氣體孔口耦合至所述通道。

12.根據權利要求9所述的處理襯底的系統，其中還包括控制系統，所述控制系統將至少一個系統參數自第一值改變至第二值，其中所述等離子體束在所述第一值處具有第一形狀且在所述第二值處具有第二形狀，并且其中所述至少一個系統參數包括：被施加至所述等離子體室的射頻功率的位準、射頻波形、所述等離子體束的提取電壓、所述提取板的構造、或所述襯底與所述提取板之間的間隔。

13.根據權利要求9所述的處理襯底的系統，其中所述反應氣體包含極性分子，且其中所述等離子體束包含惰性氣體離子。