[發明專利]鑄造和燒結生坯石榴石薄膜的方法和材料

在審

• 申請號: 201680042641.0
• 申請日: 2016-07-21
• 公開（公告）號: CN107851774A
• 公開（公告）日: 2018-03-27
• 發明（設計）人: O.卡彭科;徐耕夫;N.多內里;S.伊耶;T.霍爾梅
• 申請（專利權）人: 昆騰斯科普公司
• 主分類號: H01M4/04
• 分類號: H01M4/04;H01M4/485;H01M4/36
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 麥振聲,周李軍

1.燒結生帶的方法，所述方法包括：

(a)提供至少一種源粉；

(b)改性所述至少一種源粉以制備改性源粉；

(c)提供所述改性源粉的漿體；

(d)鑄造所述漿體以形成生帶；

(e)干燥所述生帶；和

(f)燒結所述生帶。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述生帶中的源粉的量是至少50重量％、55重量％、60重量％、65重量％、70重量％、75重量％、80重量％、85重量％、或90重量％。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述生帶中的源粉的量是至少60重量％或至少70重量％。

4.根據權利要求1至3任一項所述的方法，其中所述至少一種源粉是選自由鋰填充石榴石、鋰填充石榴石的化學前體、和含氧化鋁摻雜劑的鋰填充石榴石組成的組。

5.根據權利要求1至4任一項所述的方法，其中所述至少一種源粉是鋰填充石榴石粉。

6.根據權利要求1至5任一項所述的方法，其中所述至少一種源粉是Li_7.1Zr₂La₃O₁₂+0.5Al₂O₃。

7.根據權利要求1至5任一項所述的方法，其中所述至少一種源粉是鋰填充石榴石。

8.根據權利要求1至5任一項所述的方法，其中所述改性所述至少一種源粉包括將所述至少一種源粉改性成具有粒度分布。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述粒度分布是集中在約100nm、200nm、300nm、400nm、1μm、2μm、3μm、或4μm。

10.根據權利要求8所述的方法，其中所述粒度分布是集中在約0.1至1μm。

11.根據權利要求1至10任一項所述的方法，其中所述改性所述至少一種源粉包括研磨所述至少一種源粉。

12.根據權利要求1至11任一項所述的方法，其中所述改性所述至少一種源粉包括增加所述至少一種源粉的表面積。

13.根據權利要求11所述的方法，其中所述研磨是選自由干法研磨、磨耗研磨、超聲研磨、高能研磨、濕法研磨、噴射研磨、和低溫研磨組成的組。

14.根據權利要求11所述的方法，其中所述研磨包括使用選自異丙醇或丁醇的溶劑。

15.根據權利要求11所述的方法，其中所述研磨包括使用選自甲基乙基酮(MEK)或甲苯的溶劑。

16.根據權利要求11所述的方法，其中所述研磨包括使用包含甲基乙基酮(MEK)的溶劑。

17.根據權利要求16所述的方法，其中所述溶劑進一步包含異丙醇(IPA)。

18.根據權利要求17所述的方法，其中所述溶劑進一步包含環己酮。

19.根據權利要求15-18任一項所述的方法，其中MEK:IPA的比例是8:2、7:3、6:4、5:5、4:6、3:7、或2:8w/w。

20.根據權利要求17-18任一項所述的方法，其中環己酮的量為約10-25重量％。

21.根據權利要求15-20任一項所述的方法，其中所述溶劑是共沸物。

22.根據權利要求11-20任一項所述的方法，其中在所述改性所述至少一種源粉期間，所述至少一種源粉的表面積增加到至少3m²/g。

23.根據權利要求22所述的方法，其中在所述改性所述至少一種源粉期間，所述至少一種源粉的表面積增加到至少5m²/g。

24.根據權利要求22所述的方法，其中在所述改性所述至少一種源粉期間，所述至少一種源粉的表面積增加到至少8m²/g。

25.根據權利要求1-24任一項所述的方法，其中所述改性所述至少一種源粉包括降低所述至少一種源粉的粒子的平均粒度。