[發明專利]以期望的均勻性控制在單個晶片加工室中制造增強的半導體結構的方法

有效

• 申請號: 201680041996.8
• 申請日: 2016-06-01
• 公開（公告）號: CN107864684B
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發明（設計）人: R·J·米爾斯;N·科迪;R·J·史蒂芬森
• 申請（專利權）人: 阿托梅拉公司
• 主分類號: H01L29/15
• 分類號: H01L29/15
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 王海寧

1.一種在單個晶片加工室中加工半導體晶片的方法，該方法包括：

將單個晶片加工室加熱到650-700℃范圍內的溫度；和

通過沉積硅和氧以形成多個堆疊的層組在加熱的單個晶片加工室內的半導體晶片上形成至少一個超晶格，每個層組包含界定基礎硅部分的多個堆疊的基礎硅單層以及限制在相鄰的基礎硅部分的晶格內的至少一個氧單層；

其中沉積氧包括使用N₂O氣流沉積氧。

2.根據權利要求1所述的方法，其中沉積氧包括以1至100秒范圍內的暴露時間沉積氧。

3.根據權利要求1所述的方法，其中N₂O氣流在10至5000標準立方厘米/分鐘的范圍內。

4.根據權利要求1所述的方法，其中沉積氧包括以10至100托范圍內的壓力沉積氧。

5.根據權利要求1所述的方法，其中在氧單層形成期間，N₂O的總劑量在1×10¹⁴至7×10¹⁴原子/cm²的范圍內。

6.根據權利要求1所述的方法，其中半導體晶片包含多個間隔開的淺溝槽隔離區域，并且其中形成該至少一個超晶格包括在相鄰對的淺溝槽隔離區域之間選擇性地形成各自的超晶格。

7.根據權利要求1所述的方法，其中形成該至少一個超晶格包括在半導體晶片上的覆蓋超晶格形成。

8.根據權利要求1所述的方法，其中使來自相對的基礎硅部分的至少一些硅原子通過其間的至少一個氧單層化學結合在一起。

9.一種在單個晶片加工室中加工半導體晶片的方法，該半導體晶片包含多個間隔離開的淺溝槽隔離區域，該方法包括：

將單個晶片加工室加熱到650-700℃范圍內的溫度；和

通過沉積硅和氧以形成多個堆疊的層組在加熱的單個晶片加工室內的半導體晶片上的相鄰對的淺溝槽隔離區域之間選擇性形成各自的超晶格，每個組層包含界定基礎硅部分的多個堆疊的基礎硅單層以及限制在相鄰的基礎硅部分的晶格內的至少一個氧單層；

其中沉積氧包括使用N₂O氣流并以10至100托范圍內的壓力沉積氧。

10.根據權利要求9所述的方法，其中沉積氧包括以1至100秒范圍內的暴露時間沉積氧。

11.根據權利要求9所述的方法，其中N₂O氣流在10至5000標準立方厘米/分鐘的范圍內。

12.根據權利要求9所述的方法，其中在氧單層形成期間，N₂O的總劑量在1×10¹⁴至7×10¹⁴原子/cm²的范圍內。

13.根據權利要求9所述的方法，其中使來自相對的基礎硅部分的至少一些硅原子通過其間的至少一個氧單層化學結合在一起。

14.一種在單個晶片加工室中加工半導體晶片的方法，該方法包括：

將單個晶片加工室加熱到650-700℃范圍內的溫度；和

通過沉積硅和氧以形成多個堆疊的層組在加熱的單個晶片加工室內的半導體晶片上形成覆蓋超晶格，每個層組包含界定基礎硅部分的多個堆疊的基礎硅單層以及限制在相鄰的基礎硅部分的晶格內的至少一個氧單層；

其中沉積氧包括使用N₂O氣流并以10至100托范圍內的壓力沉積氧。

15.根據權利要求14所述的方法，其中沉積氧包括以1至100秒范圍內的暴露時間沉積氧。