[發明專利]半導體裝置、其制造方法以及電子設備有效
| 申請號: | 201680041625.X | 申請日: | 2016-07-08 |
| 公開(公告)號: | CN107851651B | 公開(公告)日: | 2022-07-08 |
| 發明(設計)人: | 寶玉晉;御手洗俊;柳川周作 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L23/12 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 余剛;吳孟秋 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 制造 方法 以及 電子設備 | ||
1.一種半導體裝置,包括:
圖像傳感器,在所述圖像傳感器中,光電轉換元件形成在半導體基板上;
玻璃基板,被布置在所述圖像傳感器的第一主表面上,其中,所述玻璃基板形成為在所述圖像傳感器的外周部比在所述圖像傳感器的內部厚;
第一布線層,形成在所述圖像傳感器的與所述第一主表面相對的第二主表面上,其中,在所述玻璃基板和所述第一布線層之間,所述圖像傳感器的側表面被絕緣材料覆蓋,并且其中,所述絕緣材料在所述玻璃基板較厚的所述外周部較??;以及
多個外部端子,
其中,所述第一布線層的金屬布線包括形成在所述圖像傳感器的區域中的多個電極單元以及多個布線元件,其中,所述多個布線元件中的每個布線元件在所述多個電極單元中的相應電極單元與所述多個外部端子中的相應外部端子之間延伸。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置,
其中,形成有所述第一布線層的平面區域大于所述圖像傳感器的平面區域。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置,
其中,所述絕緣材料包括兩種類型的絕緣材料,所述兩種類型的絕緣材料是光阻材料和具有高導熱率的材料。
4.根據權利要求1所述的半導體裝置,
其中,第二布線層插入在所述圖像傳感器的第一主表面和所述玻璃基板之間。
5.根據權利要求1所述的半導體裝置,
其中,所述玻璃基板的側表面被絕緣材料所覆蓋。
6.根據權利要求1所述的半導體裝置,
其中,透光部件被封閉在所述圖像傳感器的所述第一主表面和所述玻璃基板之間。
7.根據權利要求1所述的半導體裝置,
其中,空氣被封閉在所述圖像傳感器的所述第一主表面和所述玻璃基板之間。
8.根據權利要求1所述的半導體裝置,
其中,在所述圖像傳感器的所述第二主表面和所述第一布線層之間插入一種或多種類型的絕緣材料。
9.根據權利要求8所述的半導體裝置,
其中,所述圖像傳感器的所述第二主表面上的電極單元和所述第一布線層通過金屬凸塊電連接。
10.根據權利要求8所述的半導體裝置,
其中,所述圖像傳感器的所述第二主表面上的電極單元和所述第一布線層經由通孔電連接。
11.根據權利要求1所述的半導體裝置,
還包括透鏡結構,在所述透鏡結構中堆疊多個透鏡,
其中,所述半導體裝置被配置為使得由所述多個透鏡聚集的光入射在所述圖像傳感器上。
12.一種半導體裝置,包括:
圖像傳感器,在所述圖像傳感器中光電轉換元件形成在半導體基板上;
玻璃基板,保護作為所述圖像傳感器的受光面的第一主表面,其中,所述玻璃基板形成為在所述圖像傳感器的外周部比在所述圖像傳感器的內部厚;以及
絕緣部件,覆蓋所述圖像傳感器和所述玻璃基板的側表面,其中,所述絕緣部件在所述玻璃基板較厚的所述外周部較薄。
13.根據權利要求12所述的半導體裝置,
其中,所述圖像傳感器的與所述第一主表面相對的第二主表面也覆蓋有所述絕緣部件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





