[發明專利]有機層的高分辨率圖案化方法

有效

• 申請號: 201680038320.3
• 申請日: 2016-06-27
• 公開（公告）號: CN108292714B
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: 柯統輝;P·瑪麗諾斯奇;中村篤史
• 申請（專利權）人: IMEC非營利協會;富士膠片株式會社
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/48;H01L51/40
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 江磊;郭輝

1.用于基材(10)上有機層(11、30、71、72、73)光刻圖案化的方法，所述方法包括：

在有機層(11、30、71、72、73)上提供水溶性屏蔽層(13、61、62、63)，

在屏蔽層(13、61、62、63)上提供光刻膠層(14)，

使得光刻膠層(14)光刻圖案化以由此形成圖案化的光刻膠層(141)，

使用圖案化的光刻膠層(141)作為掩模對屏蔽層(13、61、62、63)和有機層(11、30、71、72、73)進行蝕刻，由此形成圖案化的屏蔽層(131)和圖案化的有機層(111、301、711、721、731)，以及

隨后去除圖案化的屏蔽層，

其中，所述方法包括：在提供水溶性屏蔽層(13、61、62、63)之前，在有機層(11、30、71、72、73)上提供具有疏水性上表面(121)的疏水性保護層(12、81、82、83)，保留所述疏水性保護層。

2.如權利要求1所述的方法，其中，對屏蔽層和有機層進行蝕刻包括：對有機層和屏蔽層之間的疏水性保護層進行蝕刻，由此形成圖案化的疏水性保護層。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在有機層(11、30、71、72、73)上提供水溶性屏蔽層(13、61、62、63)包括：在疏水性保護層(12、81、82、83)上提供與疏水性保護層直接接觸的水溶性屏蔽層(13、61、62、63)。

4.如權利要求1-3中任一項所述的方法，其特征在于，去除圖案化的屏蔽層(131)包括將圖案化的屏蔽層曝露于水或含水溶液。

5.如權利要求1-3中任一項所述的方法，其特征在于，所述有機層(11、30、71、72、73)包括有機半導體層。

6.如權利要求1-3中任一項所述的方法，其特征在于，所述有機層(11、30、71、72、73)包括電致發光層(33)或光敏層。

7.如權利要求1-3中任一項所述的方法，其特征在于，所述疏水性保護層(12、81、82、83)是疏水性有機半導體層。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述疏水性有機半導體層(12、81、82、83)是包含至少兩層的多層堆疊體，其中，多層堆疊體的上部層具有水性上表面。

9.用于制造包括有機層(11、30、71、72、73)的電子裝置(100、300)的方法，其特征在于，所述方法包括使用如權利要求1-8中任一項所述的方法使得有機層圖案化，疏水性保護層保留在裝置中。

10.如權利要求9所述用于制造電子裝置(100、300)的方法，其特征在于，所述有機層(30、71、72、73)包括裝置的活性有機半導體層，并且其中，疏水性保護層(12、81、82、83)是裝置的疏水性有機半導體電荷輸送層。

11.如權利要求10所述用于制造電子裝置(100、300)的方法，其特征在于，所述活性有機半導體層(30、71、72、73)在與疏水性有機半導體電荷輸送層(12、81、82、83)接觸的表面處具有第一HOMO能級和第一LUMO能級，所述疏水性有機半導體電荷輸送層(12、81、82、83)在與活性有機半導體層(30、71、72、73)接觸的表面處具有第二HOMO能級和第二LUMO能級，并且，其中選擇第二HOMO能級低于第一HOMO能級，并且選擇第二LUMO能級高于第一LUMO能級。

12.如權利要求10-11中任一項所述用于制造電子裝置(100、300)的方法，其特征在于，所述疏水性有機半導體電荷輸送層(12、81、82、83)是多層堆疊體，其包含與活性有機半導體層(30、71、72、73)接觸的第一電荷輸送層(128)以及在多層堆疊體頂側的第二電荷輸送層(129)，所述第二電荷輸送層(129)具有疏水性上表面。