[發(fā)明專利]對(duì)多層膜進(jìn)行蝕刻的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201680038175.9
• 申請(qǐng)日: 2016-07-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107710391B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 久保卓也;康松潤(rùn);森本保
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/3065
• 分類號(hào): H01L21/3065;C23F4/00;H01L21/8246;H01L27/105;H01L43/08
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種使用等離子體處理裝置對(duì)被處理體的多層膜進(jìn)行蝕刻的方法，其中，

所述被處理體具有絕緣膜、多層膜和設(shè)置在所述多層膜上的掩模，該多層膜形成在所述絕緣膜上且包含由金屬磁性材料形成的層，

該方法包括以下工序：

第1工序，在將所述等離子體處理裝置的處理容器的內(nèi)部的壓力設(shè)定為第1壓力的狀態(tài)下，對(duì)所述多層膜執(zhí)行濺射蝕刻；以及

第2工序，在將所述處理容器內(nèi)部的壓力設(shè)定為比所述第1壓力低的第2壓力的狀態(tài)下，對(duì)通過(guò)所述第1工序進(jìn)行了處理的所述多層膜執(zhí)行濺射蝕刻，

其中，在所述濺射蝕刻期間，由于等離子體的活性種與有機(jī)雜質(zhì)的反應(yīng)而在所述多層膜和所述絕緣膜之間生成包含氣體的缺陷，并且所述第1壓力被設(shè)置成抑制所述包含氣體的缺陷的膨脹，從而抑制所述多層膜的剝離或開(kāi)裂，

執(zhí)行所述第1工序直到所述多層膜的膜厚變?yōu)?1nm以下為止并且在所述多層膜的膜厚變?yōu)?1nm以下時(shí)停止，使得所述包含氣體的缺陷內(nèi)的氣體從所述多層膜中泄露，在所述第1工序中將所述多層膜蝕刻到其膜厚方向上的中途以蝕刻所述多層膜的部分，并且在所述第2工序中蝕刻所述多層膜的剩余部分直到所述絕緣膜暴露為止，以及所述第1壓力為2Pa以上的壓力。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第2壓力為1.333Pa以下的壓力。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，

該絕緣膜包含氧化硅或氮化硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，

所述多層膜包含從Ru、Ta、Pt、Pd、Ti、Mg、Al、Ag、Au、Cu、W、Co、Fe以及Ni中選擇的兩種以上的金屬。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，

在所述處理容器內(nèi)設(shè)置有包括下部電極的載置臺(tái)，

在所述第1工序中，在將所述被處理體放置在所述載置臺(tái)上的狀態(tài)下，向所述下部電極供給偏壓用的高頻。