[發明專利]支撐襯底的設備

有效

• 申請號: 201680038069.0
• 申請日: 2016-06-06
• 公開（公告）號: CN107810548B
• 公開（公告）日: 2022-03-15
• 發明（設計）人: 岱爾·K·史東;大衛·J·奇普曼
• 申請（專利權）人: 瓦里安半導體設備公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊文娟;臧建明

1.一種支撐襯底的設備，其特征在于，包括：

靜電卡盤；

基底，其處于比所述靜電卡盤更低的溫度下；

熱屏蔽，其安置于所述靜電卡盤與所述基底之間，其中所述熱屏蔽包括在一個側上涂覆有反射材料層的聚酰亞胺膜；及

一或多個墊圈，其中所述墊圈使所述熱屏蔽與所述靜電卡盤分開，

其中所述熱屏蔽安置成使得所述反射材料層更靠近所述靜電卡盤，使得由所述靜電卡盤輻射的熱朝向所述靜電卡盤反射回去，且

其中所述反射材料層在30納米與100納米之間，且所述聚酰亞胺膜具有在1密耳與5密耳之間的厚度。

2.根據權利要求1所述的支撐襯底的設備，其中所述反射材料層包括鋁。

3.根據權利要求1所述的支撐襯底的設備，其中使用化學氣相沉積或物理氣相沉積將所述反射材料層沉積在所述聚酰亞胺膜上。

4.根據權利要求1所述的支撐襯底的設備，其中使用等離子體增強型化學氣相沉積或電子束蒸鍍將所述反射材料層沉積在所述聚酰亞胺膜上。

5.根據權利要求1所述的支撐襯底的設備，其中使用墊圈使所述熱屏蔽與所述基底分開。

6.根據權利要求1所述的支撐襯底的設備，其中所述靜電卡盤及所述基底相隔1/16與1/8之間的距離。

7.一種支撐襯底的設備，其特征在于，包括：

靜電卡盤；

基底，其處于比所述靜電卡盤更低的溫度下且與所述靜電卡盤隔開；

熱屏蔽，其安置于所述靜電卡盤與所述基底之間，其中所述熱屏蔽包括在面對所述靜電卡盤的一側上涂覆有反射材料層的聚酰亞胺膜，使得由所述靜電卡盤輻射的熱朝向所述靜電卡盤反射回去；及

墊圈，其用以使所述熱屏蔽與所述靜電卡盤及所述基底分開，

其中所述反射材料層在30納米與100納米之間，且所述聚酰亞胺膜具有在1密耳與5密耳之間的厚度。

8.根據權利要求7所述的支撐襯底的設備，其中所述反射材料層包括鋁。

9.根據權利要求7所述的支撐襯底的設備，其中使用化學氣相沉積或物理氣相沉積將所述反射材料層沉積在所述聚酰亞胺膜上。

10.根據權利要求7所述的支撐襯底的設備，其中使用等離子體增強型化學氣相沉積或電子束蒸鍍將所述反射材料層沉積在所述聚酰亞胺膜上。

11.一種支撐襯底的設備，其特征在于，包括：

靜電卡盤；

基底，其處于比所述靜電卡盤更低的溫度下；

熱屏蔽，其安置于所述靜電卡盤與所述基底之間，其中所述熱屏蔽包括在更靠近所述靜電卡盤的一側上涂覆有反射材料層的熱絕緣體，使得由所述靜電卡盤輻射的熱朝向所述靜電卡盤反射回去；及

一或多個墊圈，其中所述墊圈使所述熱屏蔽與所述基底分開，

其中所述反射材料層在30納米與100納米之間，且所述熱絕緣體具有在1密耳與5密耳之間的厚度。