[發明專利]光敏性聚酰亞胺組合物

在審

• 申請號: 201680036233.4
• 申請日: 2016-04-19
• 公開（公告）號: CN108027564A
• 公開（公告）日: 2018-05-11
• 發明（設計）人: B·B·德;S·馬利克;R·薩卡穆里;W·A·賴納特;O·N·迪莫夫;A·A·納依尼
• 申請（專利權）人: 富士膠片電子材料美國有限公司
• 主分類號: G03F7/075
• 分類號: G03F7/075;C08G73/10;G03F7/027;G03F7/004
• 代理公司: 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415
• 代理人: 林祥

本發明涉及干膜結構，其包括載體基材及由該載體基材支撐的聚合物層。該聚合物層包括至少一種完全酰亞胺化的聚酰亞胺聚合物。

相關申請的交叉引用

本申請要求2015年12月4日提交的美國臨時專利申請序號62/263,372、2015年6月26日提交的美國臨時專利申請序號62/185,424、2015年4月21日提交的美國臨時專利申請序號62/150,381的優先權。這些在先申請的全文以引用的方式并入本文中。

背景技術

越來越多的半導體器件被用于許多新型嵌入式應用，包括新型移動裝置的主機。為了讓此擴展持續，必須降低這些半導體器件的制造成本。雖然已在探討多種從晶圓切換至大型非圓形面板的途徑，此切換提供數個關鍵的成本優勢。

圓形基材、諸如硅晶圓準許通過旋轉涂布法施加諸如光阻劑及介電材料之類的涂布材料。數十年來，旋轉涂布法是將光敏材料施加至半導體基材的優選方法。最近幾年，半導體工業已開始探索將光敏性涂布物施加至大型、非圓形面板基材的方法。這些基材、可是柔性的或剛性的，顯現出特別的挑戰并且需要處理及施加半導體涂層的可替代的方法。一種將涂層施加至這些先進基材的優選方法為使用可施加至實際上任何類型的基材的干聚合物膜。一旦施加，該干膜隨后經積層以使該半導體涂層附著至基材。在光可成像的干膜光阻材料的情況中，在此積層步驟后，將該光阻材料圖案狀曝露于輻射并顯影。

一類重要的光可成像干膜光阻材料為光可成像電介質(PIDs)。下一代半導體封裝需要PID材料，PID材料擁有優良的光刻分辨率、優異的熱性能和力學性能以及化學穩定性的組合。這些PID材料的分辨率應該允許印刷出具有高縱深比率(>2：1)的細微構形(<3微米)。現有的PID材料擁有數個缺陷使其無法滿足下一代半導體封裝應用的需求。現有的材料尚未克服的兩個關鍵障礙為(1)高分辨率(<3微米)構形的圖形化及(2)制造出薄的(<5微米)PID干膜。需要發展出滿足這些需求的先進干膜PID材料。本發明的干膜PID材料通過克服現有材料的限制滿足先進封裝應用的需求。

發明內容

在一方面，本發明的特征為一種干膜結構，其包括載體基材及由該載體基材支撐的光敏性聚合物層，該光敏性聚合物層包括至少一種完全酰亞胺化的聚酰亞胺聚合物，其中該光敏性聚合物層具有至多約5微米(例如，至多約4微米或至多約3微米)的膜厚度。在某些實例中，該光敏性聚合物層進一步包括至少一種反應性官能化合物(RFC)及至少一種光引發劑。

在某些實例中，該至少一種完全酰亞胺化的聚酰亞胺聚合物由至少一種二胺制備，該至少一種二胺包括選自于由結構(Ia)的二胺及結構(Ib)的二胺所組成的群的化合物：

其中R1、R2、R3、R4、R5、R11、R12、R13及R14各自獨立地是H、經取代或未經取代的C1-C6直鏈或支鏈烷基、或C5-C7環烷基。