[發明專利]有機電子元件的制造方法及有機薄膜的形成方法

在審

• 申請號: 201680036216.0
• 申請日: 2016-06-21
• 公開（公告）號: CN107710874A
• 公開（公告）日: 2018-02-16
• 發明（設計）人: 佐佐修一;六原行一
• 申請（專利權）人: 住友化學株式會社
• 主分類號: H05B33/10
• 分類號: H05B33/10;B05D3/06;B05D7/00;H01L21/336;H01L29/786;H01L31/02;H01L31/10;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/48;H01L51/50;H05B33/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 葛凡

1.一種有機電子元件的制造方法，是具有有機功能層的有機電子元件的制造方法，該制造方法具備：

涂布膜形成工序，將包含具有交聯性基團的材料的涂布液涂布于塑料基板上而形成涂布膜；以及

有機薄膜形成工序，利用向所述涂布膜的紅外線的照射來加熱所述涂布膜，使所述交聯性基團交聯，由此形成作為所述有機功能層的有機薄膜，

所述涂布膜在第一波長范圍1.2μm～5.0μm的任意波長下具有吸收峰，

所述紅外線是在所述第一波長范圍的任意波長下具有波長范圍1.2μm～10.0μm的最大發射強度、并且在所述第一波長范圍中包含波長范圍1.2μm～10.0μm的所述紅外線的總發射能量的80％以上的紅外線。

2.根據權利要求1所述的有機電子元件的制造方法，其中，

在構成所述塑料基板的塑料材料的吸收光譜中，所述第一波長范圍的積分值小于第二波長范圍的積分值。

3.根據權利要求1或2所述的有機電子元件的制造方法，其中，

所述涂布膜還在第二波長范圍的任意波長下具有吸收峰，

在所述紅外線的發射光譜與所述涂布膜的吸收光譜的疊加的光譜中，所述第一波長范圍的積分值大于所述第二波長范圍的積分值。

4.根據權利要求3所述的有機電子元件的制造方法，其中，

在所述紅外線的發射光譜與所述涂布膜的吸收光譜的疊加的光譜中，在將所述第一波長范圍的積分值設為A1、將第二波長范圍的積分值設為A2時，A1/(A1+A2)為0.6以上。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的有機電子元件的制造方法，其中，

在所述有機薄膜形成工序中，利用所述紅外線進行加熱、并且利用不同于所述紅外線的熱源，加熱所述涂布膜。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的有機電子元件的制造方法，其中，

在所述有機薄膜形成工序中，以使所述塑料基板的溫度為構成所述塑料基板的塑料材料的玻璃化轉變溫度以下的方式，加熱所述塑料基板。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的有機電子元件的制造方法，其中，

在所述塑料基板中在形成所述涂布膜的一側的表面形成有阻擋層。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的有機電子元件的制造方法，其中，

所述塑料基板具有撓曲性，

所述有機薄膜形成工序是在將從卷繞在卷出輥上的所述塑料基板中送出的所述塑料基板卷繞在卷繞輥上的過程中進行。

9.根據權利要求1～8中任一項所述的有機電子元件的制造方法，其中，

所述有機電子元件為有機電致發光元件、有機光電轉換元件、或有機薄膜晶體管。

10.一種有機薄膜的形成方法，該形成方法具備：

涂布膜形成工序，將包含具有交聯性基團的材料的涂布液涂布于塑料基板上而形成涂布膜；以及

有機薄膜形成工序，利用向所述涂布膜的紅外線的照射來加熱所述涂布膜，使所述交聯性基團交聯，由此形成有機薄膜，

所述涂布膜在第一波長范圍1.2μm～5.0μm的任意波長下具有吸收峰，

所述紅外線是在所述第一波長范圍的任意波長下具有波長范圍1.2μm～10.0μm的最大發射強度、并且在所述第一波長范圍中包含波長范圍1.2μm～10.0μm的所述紅外線的總發射能量的80％以上的紅外線。

11.根據權利要求10所述的有機薄膜的形成方法，其中，

在構成所述塑料基板的塑料材料的吸收光譜中，所述第一波長范圍的積分值小于第二波長范圍的積分值。

12.根據權利要求10或11所述的有機薄膜的形成方法，其中，

所述涂布膜還在第二波長范圍的任意波長下具有吸收峰，

在所述紅外線的發射光譜與所述涂布膜的吸收光譜的疊加的光譜中，所述第一波長范圍的積分值大于所述第二波長范圍的積分值。

13.根據權利要求10～12中任一項所述的有機薄膜的形成方法，其中，

在所述紅外線的發射光譜與所述涂布膜的吸收光譜的疊加的光譜中，在將所述第一波長范圍的積分值設為A1、將第二波長范圍的積分值設為A2時，A1/(A1+A2)為0.6以上。