[發(fā)明專利]具有表面光柵耦合器和邊緣耦合器的光開(kāi)關(guān)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201680035879.0 | 申請(qǐng)日: | 2016-07-05 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107710042B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-01-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 帕特瑞克·杜麥思 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華為技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02B6/26 | 分類號(hào): | G02B6/26;G02B6/34 |
| 代理公司: | 11205 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 楊文娟;臧建明 |
| 地址: | 518129 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 表面 光柵 耦合器 邊緣 開(kāi)關(guān) | ||
光子集成電路(PIC)(600)包括:光開(kāi)關(guān)(650)、多個(gè)輸入邊緣耦合器(620),包括第一輸入邊緣耦合器(620)并耦合至所述光開(kāi)關(guān)(650)、多個(gè)輸入表面光柵耦合器(SGC)(630),包括第一輸入SGC(630)并耦合至所述光開(kāi)關(guān)(650)、多個(gè)輸出邊緣耦合器(620),包括第一輸出邊緣耦合器(620)并耦合至所述光開(kāi)關(guān)(650)、以及多個(gè)輸出SGC(630),包括第一輸出SGC(630)并耦合至所述光開(kāi)關(guān)(650)。制造PIC(600)的方法(1100)包括:圖案化和蝕刻硅襯底,以產(chǎn)生第一光開(kāi)關(guān)(650)、耦合至所述第一光開(kāi)關(guān)(650)的第一表面光柵耦合器(SGC)(630)以及耦合至所述第一光開(kāi)關(guān)(650)的第一邊緣耦合器(620)。
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求于2015年7月7日提交的名稱為“具有表面光柵耦合器和邊緣耦合器的光開(kāi)關(guān)”、申請(qǐng)?zhí)枮?4/793,401的美國(guó)非臨時(shí)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益,其通過(guò)引用并入本文,如同對(duì)其全部?jī)?nèi)容進(jìn)行再現(xiàn)。
背景技術(shù)
與通常基于硅材料的電子集成電路不同,光子集成電路(PIC)可以基于許多不同類型的材料,例如鈮酸鋰(LiNbO3)、硅基二氧化硅、絕緣體上硅(SOI)、砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)。此外,PIC所消耗的功率低于電子集成電路,并且還具有其他優(yōu)點(diǎn)。PIC通常包括光開(kāi)關(guān),其可使得光或光學(xué)信號(hào)能夠從一個(gè)光學(xué)組件選擇性地切換到另一個(gè)光學(xué)組件。切換是指通過(guò)可變路徑將信號(hào)從輸入移動(dòng)到輸出。可變路徑可以基于速度和其他度量來(lái)選擇。PIC通常還包括其他光學(xué)組件,包括將來(lái)自光開(kāi)關(guān)的光學(xué)信號(hào)耦合至其他光學(xué)組件的光學(xué)耦合器。
發(fā)明內(nèi)容
在一個(gè)實(shí)施例中,本公開(kāi)包括一種PIC,所述PIC包括光開(kāi)關(guān)、包括第一輸入邊緣耦合器并耦合至所述光開(kāi)關(guān)的多個(gè)輸入邊緣耦合器、包括第一輸入表面光柵耦合器(SGC)并耦合至所述光開(kāi)關(guān)的多個(gè)輸入SGC、包括第一輸出邊緣耦合器并耦合至所述光開(kāi)關(guān)的多個(gè)輸出邊緣耦合器,以及包括第一輸出SGC并耦合至所述光開(kāi)關(guān)的多個(gè)輸出SGC。
在另一個(gè)實(shí)施例中,本公開(kāi)包括一種裝置,所述裝置包括多個(gè)輸入邊緣耦合器、多個(gè)輸入SGC、耦合至所述輸入邊緣耦合器和所述輸入SGC、且被配置用于從所述輸入邊緣耦合器和所述輸入SGC接收輸入光信號(hào)第一分量的第一光開(kāi)關(guān),以及耦合至所述輸入邊緣耦合器和所述輸入SGC、且被配置用于從所述輸入邊緣耦合器和所述輸入SGC接收所述輸入光信號(hào)第二分量的第二光開(kāi)關(guān)。
在另一實(shí)施例中,本發(fā)明包括制造光子集成電路(PIC)的方法,所述方法包括圖案化和蝕刻硅襯底,以產(chǎn)生第一光開(kāi)關(guān)、耦合至所述第一光開(kāi)關(guān)的第一SGC、以及耦合至所述第一光開(kāi)關(guān)的第一邊緣耦合器。
從以下結(jié)合附圖詳細(xì)描述中,將可以更清楚地理解這些以及其他特征。
附圖說(shuō)明
為了更完整地理解本公開(kāi),現(xiàn)在結(jié)合附圖和詳細(xì)描述參考以下簡(jiǎn)要描述,其中相同的附圖標(biāo)記表示相同的部分。
圖1是光開(kāi)關(guān)的示意圖。
圖2是具有Benes網(wǎng)絡(luò)的光開(kāi)關(guān)示意圖。
圖3是耦合至邊緣耦合器的光開(kāi)關(guān)示意圖。
圖4是耦合至SGC的光開(kāi)關(guān)示意圖。
圖5是單偏振SGC(SPSGC)的示意圖;
圖6是根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的耦合至邊緣耦合器和SGC兩者的PIC示意圖。
圖7是根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的耦合至邊緣耦合器的偏振分集(polarization-diverse)PIC示意圖。
圖8是根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的耦合至SGC的偏振分集PIC示意圖。
圖9是偏振分離SGC(PSSGC)示意圖。
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