[發(fā)明專利]鈮酸鋰單晶基板及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201680034096.0 | 申請(qǐng)日: | 2016-06-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107636214B | 公開(公告)日: | 2020-07-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 梶谷富男 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 住友金屬礦山株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | C30B29/30 | 分類號(hào): | C30B29/30;C01G33/00;C30B15/04;C30B33/02 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 李英艷;張永康 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鈮酸鋰單晶基板 及其 制造 方法 | ||
本發(fā)明提供一種對(duì)溫度、時(shí)間等處理?xiàng)l件的管理容易,且體積電阻率的面內(nèi)分布極少的鈮酸鋰(LN)基板及其制造方法。上述制造方法是使用通過切克勞斯基法培育出的鈮酸鋰單晶來制造LN基板的方法,其特征在于,將單晶中的Fe濃度為50質(zhì)量ppm以上且1000質(zhì)量ppm以下并被加工成基板狀態(tài)的LN單晶埋入Al粉末或者Al和Al2O3的混合粉末中,在350℃以上且小于450℃的溫度進(jìn)行熱處理,從而制造出體積電阻率被控制在大于1×1010Ω·cm且2×1012Ω·cm以下的范圍的鈮酸鋰單晶基板。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于表面彈性波元件等中的鈮酸鋰單晶基板,特別是,涉及一種在元件的制造工藝中難以產(chǎn)生低成品率的鈮酸鋰單晶基板及其制造方法的改進(jìn)。
背景技術(shù)
鈮酸鋰(LiNbO3;以下,略稱為L(zhǎng)N)單晶是熔點(diǎn)約為1250℃、居里(Curie)溫度約為1140℃的人造鐵電晶體。而且,由LN單晶得到的鈮酸鋰單晶基板(以下,稱為L(zhǎng)N基板)的用途是用于表面彈性波元件(SAW濾波器)的材料,該表面彈性波元件用于除去電信號(hào)噪聲,主要用于移動(dòng)通信裝置中。
上述SAW濾波器具有的結(jié)構(gòu)是,在由以LN單晶為代表的壓電材料構(gòu)成的基板上,由AlCu合金等的金屬薄膜形成梳狀電極。該梳狀電極起到影響設(shè)備特性的重要作用。另外,上述梳狀電極是在通過濺射法等在壓電材料上形成金屬薄膜后,保留梳狀圖案,并通過光刻技術(shù)蝕刻去除不需要的部分而形成的。
另外,作為SAW濾波器材料的LN單晶在工業(yè)上通過以下方法得到:主要采用切克勞斯基(Czochralski,CZ)法,通常使用白金坩堝,在氧濃度為20%左右的氮-氧混合氣體環(huán)境的電爐中培養(yǎng),在電爐內(nèi)以規(guī)定的冷卻速度冷卻后,從電爐取出而得到。
培育出的LN單晶,是無色透明或者呈現(xiàn)出透明度高的淡黃色。培育后,為了去除因培育時(shí)的熱應(yīng)力導(dǎo)致的殘留變形,在接近熔點(diǎn)的均熱條件下進(jìn)行熱處理,進(jìn)而,進(jìn)行用于使其單極化的極化處理,即進(jìn)行以下一系列處理:將LN單晶從室溫升溫至居里溫度以上的規(guī)定溫度,對(duì)單晶施加電壓,并在施加有電壓的狀態(tài)下降溫至居里溫度以下的規(guī)定溫度后,停止施加電壓并冷卻至室溫。極化處理之后,為了修整單晶的外形而進(jìn)行了外周磨削的LN單晶(錠)經(jīng)過切片、研磨(lapping)、拋光工序等的機(jī)械加工,形成LN基板。最終得到的基板基本上是無色透明,且體積電阻率為1×1015Ω·cm左右以上。
對(duì)這種通過以往的方法得到的LN基板而言,在SAW濾波器的制造工藝中存在熱電擊穿(pyroelectric breakdown)的問題。熱電擊穿是指以下現(xiàn)象:由于作為L(zhǎng)N單晶特性的熱釋電性,因工藝中所受的溫度變化導(dǎo)致電荷聚集在LN基板表面,由此產(chǎn)生電火花并因此破壞LN基板表面形成的梳狀電極,甚至產(chǎn)生LN基板破裂等。熱電擊穿是元件的制造工藝中成品率低的主要原因。另外,基板的高透光率還會(huì)導(dǎo)致以下問題:在作為元件制造工序之一的光刻工序中,透過基板的光在基板背面被反射而返回至表面,導(dǎo)致所形成圖案的分辨率變差。
于是,為了解決上述問題,專利文獻(xiàn)1中提出了將LN基板暴露于500~1140℃范圍內(nèi)的化學(xué)還原性環(huán)境中使其黑化,從而降低LN基板的電阻值并降低熱釋電性的方法,其中,上述化學(xué)還原性環(huán)境是選自于氬、水、氫、氮、二氧化碳、一氧化碳、氧、及它們的組合中的氣體。需要說明的是,通過實(shí)施上述熱處理,使得LN結(jié)晶由無色透明變成有色不透明。而且,由于所觀察到的有色不透明化的色調(diào)與透過光一同呈現(xiàn)褐色~黑色,因此,將該有色不透明化現(xiàn)象在此稱之為“黑化”。黑化現(xiàn)象被認(rèn)為是因還原處理而導(dǎo)致LN基板中導(dǎo)入氧缺陷(空穴),從而形成顏色中心所致。電阻值的變化被認(rèn)為是為了補(bǔ)償因氧缺陷的生成導(dǎo)致的電荷平衡的偏差,Nb離子的價(jià)數(shù)從+5價(jià)變?yōu)?4價(jià),從而基板內(nèi)增加了由Nb離子釋放的自由電子所致。因此,黑化的程度和電阻值基本上成比例關(guān)系。
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