[發(fā)明專利]有源矩陣基板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680032544.3
• 申請日: 2016-06-02
• 公開（公告）號: CN107851667B
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宮本忠芳;中野文樹
• 申請（專利權(quán)）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L27/146
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334
• 代理人: 汪飛亞;習(xí)冬梅

使有源矩陣基板的配線的阻抗變小。一種有源矩陣基板，包含:基板31；配置于基板31，沿第一方向延伸的多數(shù)個的第一配線也就是柵極線；配置于基板31，沿與所述第一方向相異的第二方向延伸的多數(shù)個的第二配線也就是源極線Si；對應(yīng)柵極線與源極線的各交點配置，與柵極線以及源極線連接的晶體管2；以及絕緣層；所述柵極線以及源極線的至少一方為，經(jīng)由所述絕緣層的接觸孔連接所述晶體管的電極，且與經(jīng)由所述絕緣層的接觸孔連接的所述晶體管的電極相比，透過厚的膜厚以及小的阻抗率的材料的至少一個的方式形成。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明為關(guān)于有源矩陣基板。

背景技術(shù)

在基板上配置了沿著第一方向多數(shù)個的掃描線(柵極線)，以及沿著不同于第一方向的第二方向多數(shù)個的數(shù)據(jù)線(源極線)，同時在掃描線與數(shù)據(jù)線的交點對應(yīng)配置著晶體管的有源矩陣基板已被揭示(參照專利文獻(xiàn)1)。

專利文獻(xiàn)1:日本公開專利公報「特開2011-017755號公報」

發(fā)明內(nèi)容

掃描線與數(shù)據(jù)線等的配線如果阻抗大的話，往配線終端的信號傳達(dá)會產(chǎn)生延遲。因而，配線是小阻抗為適宜。

本發(fā)明的目的為，提供有源矩陣基板的配線阻抗變小的技術(shù)。

在本發(fā)明的一個實施方式的有源矩陣基板，包含:基板；配置于所述基板，沿第一方向延伸的多數(shù)個的第一配線；配置于所述基板，沿與所述第一方向相異的第二方向延伸的多數(shù)個的第二配線；對應(yīng)所述第一配線與所述第二配線的各交點配置，與所述第一配線以及所述第二配線連接的晶體管；以及絕緣層；所述第一配線以及所述第二配線的至少一方為，經(jīng)由所述絕緣層的接觸孔連接所述晶體管的電極，與經(jīng)由所述絕緣層的接觸孔連接的所述晶體管的電極相比，透過厚的膜厚以及小的阻抗率的材料的至少一個的方式形成。

根據(jù)本發(fā)明的揭露，第一配線以及第二配線至少有一方為，經(jīng)由連接晶體管的電極與絕緣層配置在不同的層，與配置在不同層的晶體管的電極相比，透過厚的膜厚以及小的阻抗率的材料的至少一個的方式形成。據(jù)此，并不制約晶體管的電極的構(gòu)成，第一配線以及第二配線的至少一方，可以透過厚的膜厚以及小的阻抗率的材料的其中至少一個形成。據(jù)此，第一配線以及第二配線的至少一方阻抗可以變小。

附圖說明

圖1是表示在實施方式一的光電傳感器基板的構(gòu)成例的俯視圖。

圖2是表示與光電傳感器基板垂直的方向來看的時候，傳感器構(gòu)成例的圖。

圖3是表示于圖2沿III-III線的剖面圖。

圖4是表示于圖2沿IV-IV線的剖面圖。

圖5A是為了說明在實施方式一光電傳感器基板的制造工序的圖。

圖5B是為了說明接續(xù)圖5A的制造工序的圖。

圖5C是為了說明接續(xù)圖5B的制造工序的圖。

圖5D是為了說明接續(xù)圖5C的制造工序的圖。

圖5E是為了說明接續(xù)圖5D的制造工序的圖。

圖5F是為了說明接續(xù)圖5E的制造工序的圖。

圖5G是為了說明接續(xù)圖5F的制造工序的圖。

圖5H是為了說明接續(xù)圖5G的制造工序的圖。

圖6是表示在實施方式二與光電傳感器基板垂直的方向來看的時候，傳感器構(gòu)成例的圖。

圖7是表示于圖6沿VII-VII線的剖面圖。

圖8是表示于圖6沿VIII-VIII線的剖面圖。

圖9A是為了說明在實施方式二光電傳感器基板的制造工序的圖。

圖9B是為了說明接續(xù)圖9A的制造工序的圖。