[發(fā)明專(zhuān)利]用于電容式觸控面板或類(lèi)似的透明導(dǎo)電涂層在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201680031747.0 | 申請(qǐng)日： | 2016-04-06 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN107710026A | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-02-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 威廉·登·博爾;翁建剛 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 佳殿工業(yè)公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | G02B1/115 | 分類(lèi)號(hào)： | G02B1/115;G06F3/044 |
| 代理公司： | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11240 | 代理人： | 梁麗超,劉丹 |
| 地址： | 美國(guó)密*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 電容 式觸控 面板 類(lèi)似 透明 導(dǎo)電 涂層 | ||
1.一種電容式觸控面板，包括：
基片；
多層透明導(dǎo)電涂層，由所述基片支撐，
其中，所述多層透明導(dǎo)電涂層包括至少一個(gè)含有銀的導(dǎo)電層，位于至少第一介電層和第二介電層之間，
其中，所述多層透明導(dǎo)電涂層包括至少所述含有銀的導(dǎo)電層，位于至少所述第一介電層和所述第二介電層之間，被圖案化至所述觸控面板的多個(gè)電極中；
測(cè)量電極之間電容的處理器，檢測(cè)所述觸控面板上的接觸位置，
其中，由所述多層透明導(dǎo)電涂層形成的所述電極被配置在與所述基片平行的同一平面中，且
其中，在600nm處，(a)存在有所述涂層的區(qū)域中的所述基片上的所述多層透明導(dǎo)電涂層的玻璃側(cè)可見(jiàn)光反射率，和(b)不存在所述多層透明導(dǎo)電涂層的至少一些區(qū)域中的所述基片的可見(jiàn)光反射率之間的差異不超過(guò)2.0。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板，其中，所述基片為玻璃基片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板，其中，所述基片通過(guò)涂有抗反射(AR)涂層的玻璃基片被制成。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的電容式觸控面板，其中，在600nm處，(a)存在有所述涂層的區(qū)域中的所述基片上的所述多層透明導(dǎo)電涂層的玻璃側(cè)可見(jiàn)光反射率，和(b)不存在所述多層透明導(dǎo)電涂層的至少一些區(qū)域中的所述基片的可見(jiàn)光反射率之間的差異不超過(guò)1.5。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的電容式觸控面板，其中，在600nm處，(a)存在有所述涂層的區(qū)域中的所述基片上的所述多層透明導(dǎo)電涂層的玻璃側(cè)可見(jiàn)光反射率，和(b)不存在所述多層透明導(dǎo)電涂層的至少一些區(qū)域中的所述基片的可見(jiàn)光反射率之間的差異不超過(guò)1.0。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的電容式觸控面板，其中，所述第一介電層含有氧化鈦。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的電容式觸控面板，其中，所述第二介電層含有氧化錫。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的電容式觸控面板，其中，所述多層透明導(dǎo)電涂層從所述基片向外依次包括：
含有氧化鈦的第一介電層；
另一含有氧化鋅的介電層；
含有銀的導(dǎo)電層，與所述含有氧化鋅的介電層直接地接觸；
接觸層，位于所述含有銀的導(dǎo)電層之上并與其接觸；
另一含有氧化鈦的介電層；
另一含有氧化錫的介電層；和
另一含有氮化硅的介電層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任何一項(xiàng)所述的電容式觸控面板，其中，所述多層透明導(dǎo)電涂層從所述基片向外依次包括：
含有氮化硅的介電層；
含有氧化硅的介電層；
含有氧化鈦的介電層；
另一含有氧化鋅的介電層；
含有銀的導(dǎo)電層，與所述含有氧化鋅的介電層直接地接觸；
接觸層，位于所述含有銀的導(dǎo)電層之上并與其接觸；
另一含有氧化鈦的介電層；
另一含有氧化錫的介電層；和
另一含有氮化硅的介電層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任何一項(xiàng)所述的電容式觸控面板，其中，所述多層透明導(dǎo)電涂層從所述基片向外依次包括：
含有氧化鋅的介電層；
含有銀的導(dǎo)電層，與所述含有氧化鋅的介電層直接地接觸；
接觸層，位于所述含有銀的導(dǎo)電層之上并與其接觸；
含有氮化硅的介電層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電容式觸控面板，其中，所述接觸層包含鎳和/或鉻的氧化物。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電容式觸控面板，其中，所述含有氧化鈦的第一介電層的厚度為130埃至185埃。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電容式觸控面板，其中，所述含有氧化鈦的第一介電層的厚度為150埃至185埃。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電容式觸控面板，其中，所述含有氮化硅的介電層的厚度為300埃至400埃。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電容式觸控面板，其中，所述含有氮化硅的介電層的厚度為300埃至320埃。
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