[發(fā)明專利]多孔電極材料的制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201680031719.9 | 申請(qǐng)日: | 2016-03-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107980072A | 公開(公告)日: | 2018-05-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王孝廣;尤里·V·科連科;包曉清;李偉;劉利峰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | INL-國(guó)際伊比利亞納米技術(shù)實(shí)驗(yàn)室 |
| 主分類號(hào): | C25B11/03 | 分類號(hào): | C25B11/03;C25B11/04 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11112 | 代理人: | 王靜,張珂珂 |
| 地址: | 葡萄牙*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多孔 電極 材料 制造 方法 | ||
1.一種制造多孔電極材料的方法,其中所述多孔電極材料包含位于含有過(guò)渡金屬的多孔結(jié)構(gòu)上的過(guò)渡金屬磷化物,所述方法包括:
使單質(zhì)磷與含有過(guò)渡金屬的多孔結(jié)構(gòu)接觸,以及
在惰性氣氛中將發(fā)生接觸的所述單質(zhì)磷和所述含有過(guò)渡金屬的多孔結(jié)構(gòu)加熱到300℃至1100℃的溫度范圍內(nèi)的溫度,從而使所述磷的至少一部分和所述過(guò)渡金屬的至少一部分反應(yīng),以在所述多孔結(jié)構(gòu)的表面上形成過(guò)渡金屬磷化物,由此形成所述多孔電極材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述接觸通過(guò)在所述過(guò)渡金屬的表面上沉積固體單質(zhì)磷的粉末或糊劑來(lái)進(jìn)行。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其中所述惰性氣氛通過(guò)惰性氣體或通過(guò)真空來(lái)提供。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述方法進(jìn)一步包括:
通過(guò)加熱蒸發(fā)固體單質(zhì)磷,從而形成磷蒸氣,并且
其中所述接觸是通過(guò)使所述磷蒸氣和所述過(guò)渡金屬接觸而進(jìn)行的。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中所述蒸發(fā)是通過(guò)加熱到300℃至800℃范圍內(nèi)的溫度而進(jìn)行的。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的方法,其中所述接觸是通過(guò)借助于惰性氣體流使所述磷蒸氣流動(dòng),以使所述磷蒸氣與所述過(guò)渡金屬接觸而進(jìn)行的。
7.根據(jù)權(quán)利要求4至6中任一項(xiàng)所述的方法,其中所述惰性氣氛通過(guò)惰性氣體提供,所述惰性氣體優(yōu)選為Ar或N2。
8.根據(jù)前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法,其中
所述過(guò)渡金屬為鎳,并且
所述過(guò)渡金屬磷化物選自由Ni3P、Ni7P3、Ni5P2、Ni2.55P、NiP3、NiP、Ni8P3、Ni12P5、Ni5P4、NiP2、Ni2P和Ni5P4或者它們的組合所構(gòu)成的組中。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的方法,其中
所述過(guò)渡金屬為鈷,并且
所述過(guò)渡金屬磷化物選自由Co1.94P、Co1.95P、Co2P、CoP、CoP2、CoP3、CoP4或者它們的組合所構(gòu)成的組中。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的方法,其中
所述過(guò)渡金屬為銅,并且
所述過(guò)渡金屬磷化物選自由Cu3P、CuP2、Cu2P7、Cu0.97P0.03、Cu2.82P、Cu0.985P0.015、Cu2.82P、Cu2.872P、CuP10或者它們的組合所構(gòu)成的組中。
11.根據(jù)前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法,其中所述加熱是加熱到400℃至800℃的溫度范圍內(nèi)的溫度。
12.根據(jù)前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法,其中所述加熱進(jìn)行0.5小時(shí)至24小時(shí)。
13.根據(jù)前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法,其中所述含有過(guò)渡金屬的多孔結(jié)構(gòu)可以以泡沫的形式提供,該泡沫的最大平均孔徑為1mm以下,優(yōu)選為800μm以下,進(jìn)一步優(yōu)選為500μm以下,最優(yōu)選為300μm以下。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其中所述金屬泡沫的孔隙率在25%至99%的范圍內(nèi),優(yōu)選為50%至98%的范圍內(nèi)。
15.一種多孔電極材料,其可根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法獲得。
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