[發明專利]矩陣處理方法和裝置及機器可讀介質有效
| 申請號: | 201680031680.0 | 申請日: | 2016-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN107636765B | 公開(公告)日: | 2021-06-15 |
| 發明(設計)人: | N·穆拉里曼諾亞;A·莎菲阿爾德斯塔尼 | 申請(專利權)人: | 慧與發展有限責任合伙企業 |
| 主分類號: | H04N9/65 | 分類號: | H04N9/65 |
| 代理公司: | 北京市漢坤律師事務所 11602 | 代理人: | 魏小薇;吳麗麗 |
| 地址: | 美國德*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 矩陣 處理 方法 裝置 機器 可讀 介質 | ||
1.一種矩陣處理方法,包括:
由至少一個處理器接收要被映射到電阻性存儲器陣列的值的第一矩陣,其中所述第一矩陣中的每個值要被表示為電阻性存儲器元件的電阻;
由至少一個處理器識別所述第一矩陣中的、偏離于所述第一矩陣中的其他值的偏離值,其中,如果將所述偏離值從所述第一矩陣移除,能夠減小所述第一矩陣的位深度;以及
由至少一個處理器利用至少一個替代值來替代包含所述偏離值的所述第一矩陣的一部分的至少一個值以形成替代的第一矩陣。
2.根據權利要求1所述的方法,包括:
將所述替代的第一矩陣映射到所述電阻性存儲器陣列。
3.根據權利要求1所述的方法,其中替代至少一個值包括用非偏離值替代所述偏離值,其中所述替代的第一矩陣能夠由具有位深度的電阻性存儲器元件的電阻性存儲器陣列表示,所述位深度小于所述第一矩陣的位深度,其中所述第一矩陣的位深度是用于表示所述第一矩陣的電阻性存儲器陣列的電阻性存儲器元件的位深度。
4.根據權利要求3所述的方法,其中所述方法包括:
將所述替代的第一矩陣映射到所述電阻性存儲器陣列;
存儲所述偏離值;
使用所述電阻性存儲器陣列來對輸入矩陣執行操作以獲得輸出;以及
對所述輸出進行后處理,以使用存儲的偏離值來針對利用所述非偏離值替代所述偏離值進行補償。
5.根據權利要求1所述的方法,其中替代至少一個值包括利用包含替代值的多個替換線來替代包含所述偏離值的所述第一矩陣的線。
6.根據權利要求5所述的方法,其中,所述偏離值分布在所述多個替換線中的替代值之間。
7.根據權利要求5所述的方法,其中,所述多個替換線中的替代值的和等于所述偏離值。
8.根據權利要求5所述的方法,其中,所述多個替換線中的每個替代值能夠由導致比所述偏離值更小的位深度的存儲器元件表示。
9.根據權利要求5所述的方法,還包括:
將所述替代的第一矩陣映射到所述電阻性存儲器陣列;
接收要被用于具有所述替代的第一矩陣的矩陣運算中的輸入矩陣;
復制所述輸入矩陣中的至少一條線以獲得修改的輸入矩陣;以及
使用使所述替代的第一矩陣映射到其的電阻性存儲器陣列來對修改的輸入矩陣執行操作。
10.根據權利要求1所述的方法,其中識別偏離值包括:
計算所述第一矩陣的位深度,其中所述位深度表示所述第一矩陣中的值的范圍;以及
如果用于表示值的范圍的位深度大于用于表示所述矩陣中的其他值的范圍的位的數量,則確定所述值是偏離值。
11.根據權利要求1所述的方法,其中識別偏離值包括:
計算所述第一矩陣的位深度,所述位深度表示所述第一矩陣中的值的范圍,以及
如果在值被移除的情況下用于表示所述值的范圍的位深度減小,則確定所述值是偏離值。
12.根據權利要求1的方法,其中替代至少一個值包括利用空值來替代至少一個偏離值,
所述方法還包括確定至少一個新矩陣,所述至少一個新矩陣包括所述替代的第一矩陣的每個非替代值的位置中的空值和所述新矩陣內的與所述第一矩陣中的偏離值的位置對應的位置中的所述第一矩陣的至少一個偏離值。
13.根據權利要求1所述的方法,其中響應于確定所述矩陣要被映射到的所述電阻性存儲器陣列中的字線的數量大于要被映射到所述字線的矩陣中的線的數量,將所述偏離值分布在多個字線上。
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