[發明專利]使用閃光燈進行芯片的非接觸轉移和焊接的設備和方法有效
| 申請號: | 201680031100.8 | 申請日: | 2016-04-26 |
| 公開(公告)號: | CN107683522B | 公開(公告)日: | 2021-10-15 |
| 發明(設計)人: | 羅布·雅各布·亨德里克斯;丹·安東·萬登恩德;埃德斯格·康斯坦特·彼得·斯米茨 | 申請(專利權)人: | 荷蘭應用自然科學研究組織TNO |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡勝有;蘇虹 |
| 地址: | 荷蘭*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 使用 閃光燈 進行 芯片 接觸 轉移 焊接 設備 方法 | ||
1.一種用于將芯片(1a)焊接到基底(3)的方法,所述方法包括:
在閃光燈(5)和所述基底(3)之間設置芯片載體(8),其中所述芯片(1a)在所述芯片載體(8)的面向所述基底(3)的一側上被附接到所述芯片載體(8),其中在所述芯片(1a)和所述基底(3)之間設置有焊料材料(2);以及
用所述閃光燈(5)產生光脈沖(6)以利用所述光脈沖(6)的光(6a)加熱所述芯片(1a),其中對所述芯片(1a)進行加熱使得所述芯片(1a)從所述芯片載體(8)脫離以朝向所述基底(3)非接觸地轉移,其中所述焊料材料(2)通過與經所述光脈沖(6)的所述光(6a)加熱的芯片(1a)接觸而至少部分地熔融,用于將所述芯片(1a)附接到所述基底(3)。
2.根據權利要求1所述的方法,其中所述光脈沖(6)的光(6a)繼續照射所述芯片(1a),同時所述芯片(1a)在所述芯片載體(8)和所述基底(3)之間非接觸地行進距離(Z)。
3.根據權利要求2所述的方法,其中通過所述閃光燈(5)或所述閃光燈(5)與所述芯片載體(8)之間的掩蔽裝置(7)的控制根據時間對沖擊所述芯片(1a)的所述光脈沖(6)的所述光(6a)的強度(Ia)進行調節,其中,通過所述調節,所述光的強度(Ia)在所述芯片從所述芯片載體(8)脫離的時刻比所述芯片(1a)在所述芯片載體(8)和所述基底(3)之間行進的時間期間高。
4.根據權利要求3所述的方法,其中所述光脈沖(6)的所述光(6a)繼續照射所述芯片(1a),同時所述芯片(1a)位于所述基底(3)上,并且其中所述光強度(Ia)在所述行進之后在所述芯片接觸基底(3)上的所述焊料材料(2)時增加。
5.根據前述權利要求中任一項所述的方法,其中所述芯片載體(8)包括對所述光脈沖(6)透明的載體基底,其中所述芯片(1a)由透射通過所述芯片載體(8)的所述光脈沖(6)加熱。
6.根據權利要求1至4中任一項所述的方法,其中所述光脈沖(6)的所述光(6a)使所述芯片載體(8)和所述芯片(1a)之間的粘合材料(8a)分解,從而使所述芯片(1a)從所述芯片載體(8)脫離。
7.根據權利要求1至4中任一項所述的方法,其中在距所述基底(3)的距離(Z)處將所述芯片(1a)附接到所述芯片載體(8),其中所述距離(Z)在50微米和500微米之間。
8.根據權利要求1至4中任一項所述的方法,其中將包括掩蔽圖案(7a,7c)的掩蔽裝置(7)設置在所述閃光燈(5)和所述芯片(1a)之間,其中所述掩蔽圖案(7a,7c)被配置成使所述光脈沖(6)的所述光(6a)選擇性地通過到達所述芯片(1a)。
9.根據權利要求1至4中任一項所述的方法,其中將多個芯片(1a,1b)同時從所述芯片載體(8)轉移到所述基底(3)并且焊接到所述基底(3)。
10.根據權利要求1至4中任一項所述的方法,其中一個或更多個芯片的所述轉移和焊接通過單個光脈沖(6)實現。
11.根據權利要求1至4中任一項所述的方法,其中
具有不同的加熱特性(C1、C2)的兩個或更多個不同的芯片(1a,1b)被附接到所述芯片載體(8);并且
在所述閃光燈(5)和所述芯片(1a,1b)之間設置掩蔽裝置(7),從而通過所述掩蔽裝置(7)的所述光脈沖(6)在不同區域(6a,6b)中造成不同的光強度(Ia,Ib),從而用不同的光強度(Ia,Ib)加熱所述芯片(1a,1b),用于至少部分地補償所述不同的加熱特性(C1,C2),以減少由于所述光脈沖(6)的加熱而導致的所述芯片之間的溫度差距。
12.根據權利要求1至4中任一項所述的方法,其中所述基底(3)包括卷對卷過程中的柔性箔。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于荷蘭應用自然科學研究組織TNO,未經荷蘭應用自然科學研究組織TNO許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201680031100.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





