[發明專利]太陽能電池元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201680030373.0
• 申請日: 2016-05-27
• 公開（公告）號: CN107690709B
• 公開（公告）日: 2019-09-24
• 發明（設計）人: 三浦好雄
• 申請（專利權）人: 京瓷株式會社
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 樸英淑

1.一種太陽能電池元件，具備：

在一個表面具有p型半導體區域的半導體基板；

位于所述p型半導體區域之上且包含氧化鋁的鈍化層；

位于該鈍化層之上且包含具有烷基的聚硅氧烷層的保護層；以及

位于該保護層中的與所述鈍化層相反的一側之上的電極，

所述聚硅氧烷層具有二氧化硅粒子，

所述電極覆蓋所述保護層，并且填充對所述保護層和所述鈍化層進行貫通的多個孔以便與所述半導體基板直接接觸。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池元件，其中，

所述保護層還包含二氧化硅層。

3.根據權利要求2所述的太陽能電池元件，其中，

所述保護層的所述二氧化硅層與所述鈍化層相接。

4.一種太陽能電池元件，具備：

在一個表面具有p型半導體區域的半導體基板；

位于所述p型半導體區域之上且包含氧化鋁的鈍化層；

位于該鈍化層之上且包含具有烷基的聚硅氧烷層的保護層；以及

位于該保護層中的與所述鈍化層相反的一側之上的電極，

所述保護層還包含二氧化硅層，

所述電極覆蓋所述保護層，并且填充對所述保護層和所述鈍化層進行貫通的多個孔以便與所述半導體基板直接接觸。

5.根據權利要求4所述的太陽能電池元件，其中，

所述保護層的所述二氧化硅層與所述鈍化層相接。

6.根據權利要求2～5中任一項所述的太陽能電池元件，其中，

所述電極包括覆蓋所述保護層的金屬層，所述保護層的所述二氧化硅層與所述金屬層相接。

7.根據權利要求2～5中任一項所述的太陽能電池元件，其中，

所述二氧化硅層位于所述鈍化層與所述聚硅氧烷層之間。

8.根據權利要求2～5中任一項所述的太陽能電池元件，其中，

所述二氧化硅層比所述聚硅氧烷層薄。

9.根據權利要求1～5中任一項所述的太陽能電池元件，其中，

所述聚硅氧烷層包含羧基以及碳酰二氧基中的至少一者。

10.一種太陽能電池元件，具備：

在一個表面具有p型半導體區域的半導體基板；

位于所述p型半導體區域之上且包含氧化鋁的鈍化層；

位于該鈍化層之上且包含具有烷基的聚硅氧烷層的保護層；以及

位于該保護層中的與所述鈍化層相反的一側之上的電極，

所述聚硅氧烷層包含羧基以及碳酰二氧基中的至少一者，

所述電極覆蓋所述保護層，并且填充對所述保護層和所述鈍化層進行貫通的多個孔以便與所述半導體基板直接接觸。

11.一種太陽能電池元件的制造方法，具有：

在一個表面具有p型半導體區域半導體基板的所述p型半導體區域之上，形成包含氧化鋁的鈍化層的工序；

在該鈍化層之上形成包含聚硅氧烷低聚物的涂敷膜的工序；

使該涂敷膜干燥，形成包含具有烷基的聚硅氧烷層的保護層的工序；以及

形成位于該保護層中的與所述鈍化層相反的一側之上的電極的工序，

在形成所述鈍化層的工序之后，且在形成所述涂敷膜的工序之前，還具有在所述鈍化層之上形成二氧化硅層的工序，

所述電極覆蓋所述保護層，并且填充對所述保護層和所述鈍化層進行貫通的多個孔以便與所述半導體基板直接接觸。

12.根據權利要求11所述的太陽能電池元件的制造方法，其中，

還具有使所述聚硅氧烷層所包含的烷基的一部分氧化，使所述聚硅氧烷層包含羧基以及碳酰二氧基中的至少一者的工序。