[發(fā)明專利]高通量化學(xué)氣相沉積電極

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680026810.1
• 申請日: 2016-05-04
• 公開（公告）號: CN107683345A
• 公開（公告）日: 2018-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 穆恩·春
• 申請（專利權(quán)）人: 太陽能公司
• 主分類號: C23C16/01
• 分類號: C23C16/01;C23C16/24;C30B13/00;C30B29/06;C30B35/00;C01B33/035;H01L31/18
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11112
• 代理人: 顧麗波,張娜

本專利申請要求于2016年5月2日提交的先前共同未決的美國非臨時專利申請序列號15/144,469的優(yōu)先權(quán)，該申請要求享有于2015年5月8日提交的先前共同未決的美國臨時專利申請序列號62/159,159的優(yōu)先權(quán)，其全部公開內(nèi)容以引用方式并入本文。

背景技術(shù)

光伏電池(常被稱為太陽能電池)是熟知的用于將太陽輻射直接轉(zhuǎn)換為電能的裝置。一般來講，使用半導(dǎo)體加工技術(shù)在半導(dǎo)體基板的表面附近形成p-n結(jié)，從而在半導(dǎo)體晶片或基板上制造太陽能電池。照射在基板表面上并進入基板內(nèi)的太陽輻射在基板塊體中形成電子和空穴對。電子和空穴對遷移至基板中的p摻雜區(qū)和n摻雜區(qū)，從而在摻雜區(qū)之間產(chǎn)生電壓差。將摻雜區(qū)連接至太陽能電池上的導(dǎo)電區(qū)，以將電流從電池引導(dǎo)至與其耦接的外部電路。

效率是太陽能電池的重要特性，因其直接與太陽能電池發(fā)電能力有關(guān)。同樣，制備太陽能電池的效率直接與此類太陽能電池的成本效益有關(guān)。因此，提高太陽能電池效率的技術(shù)或提高制造太陽能電池效率的技術(shù)是普遍需要的。

通過使用高質(zhì)量晶體硅基板制造太陽能電池，可以提高太陽能電池的效率。例如，使用單晶硅晶片制造的太陽能電池通常比使用多晶硅晶片制造的太陽能電池效率更高。光伏行業(yè)廣泛采用切克勞斯基技術(shù)制造單晶基板，主要是因為目前這種方法相對較少采用的浮區(qū)技術(shù)更具成本效益。但是，浮區(qū)技術(shù)生產(chǎn)的的單晶基板比由切克勞斯基技術(shù)生產(chǎn)的單晶基板質(zhì)量更高。因此，如果該工藝的成本效益得到改進，就可以成為生長單晶硅材料的優(yōu)選方法。

附圖說明

圖1是根據(jù)一個實施例的沉積電極的透視圖。

圖2是沿圖1A-A線截取的根據(jù)一個實施例的沉積電極的剖視圖。

圖3是根據(jù)一個實施例的沉積電極的透視圖。

圖4是沿圖3B-B線截取的根據(jù)一個實施例的沉積電極的剖視圖。

圖5是根據(jù)一個實施例的沉積電極的透視圖。

圖6是根據(jù)一個實施例的晶體硅材料制造方法的流程圖。

圖7A-7D是根據(jù)一個實施例使用沉積電極形成的管狀多晶硅棒料的剖視圖。

圖8是根據(jù)一個實施例使用浮區(qū)方法由管狀多晶硅棒料形成的單晶硅材料的局部透視圖。

圖9是根據(jù)一個實施例的用于浮區(qū)工藝的RF盤的透視圖。

具體實施方式

以下具體實施方式本質(zhì)上只是例證性的，并非意圖限制所述主題的實施例或此類實施例的應(yīng)用和用途。如本文所用，詞語“示例性”意指“用作示例、實例或舉例說明”。本文描述為示例性的任何實施未必理解為相比其他實施是優(yōu)選的或有利的。此外，并不意圖受前述技術(shù)領(lǐng)域、背景技術(shù)、發(fā)明內(nèi)容或以下具體實施方式中提出的任何明示或暗示的理論的約束。

本說明書包括提及“一個實施例”或“實施例”。短語“在一個實施例中”或“在實施例中”的出現(xiàn)不一定是指同一實施例。特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以任何與本公開一致的合適方式加以組合。

術(shù)語。以下段落提供存在于本公開(包括所附權(quán)利要求書)中術(shù)語的定義和/或語境：

“包括”。該術(shù)語是開放式的。如在所附權(quán)利要求書中所用，該術(shù)語并不排除其他結(jié)構(gòu)或步驟。

“配置為”。各個單元或部件可被描述或聲明成“配置為”執(zhí)行一項或多項任務(wù)。在這樣的語境下，“配置為”用于通過指示該單元/部件包括在操作期間執(zhí)行一項或多項任務(wù)的結(jié)構(gòu)而暗示結(jié)構(gòu)。因此，可以說是將單元/部件配置成即使當(dāng)指定的單元/部件目前不在操作(例如，未開啟/激活)時也可執(zhí)行任務(wù)。詳述某一單元/電路/部件“配置為”執(zhí)行一項或多項任務(wù)明確地意在對該單元/部件而言不援用35U.S.C.§112第六段。

“第一”、“第二”等。如本文所用，這些術(shù)語用作其之后的名詞的標(biāo)記，而并不暗示任何類型的順序(例如，空間、時間和邏輯等)。例如，提及“第一”阻擋膜層并不一定暗示該阻擋膜層為某一序列中的第一個阻擋膜層；相反，術(shù)語“第一”用于區(qū)分該阻擋膜層與另一個阻擋膜層(例如，“第二”阻擋膜層)。

“耦接”以下描述可以指元件或節(jié)點或結(jié)構(gòu)特征被“耦接”在一起。如本文所用，除非另外明確指明，否則“耦接”意指一個元件/節(jié)點/特征直接或間接連接至另一個元件/節(jié)點/特征(或直接或間接與其連通)，并且不一定是機械連接。