[發(fā)明專利]等離子體處理裝置和等離子體處理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680026715.1 | 申請日: | 2016-05-10 |
| 公開(公告)號: | CN107535043B | 公開(公告)日: | 2019-09-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 久保田紳治 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H05H1/46 | 分類號: | H05H1/46;C23C16/511;H01L21/3065;H01L21/31 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 等離子體 處理 裝置 方法 | ||
1.一種等離子體處理裝置,其特征在于,包括:
處理容器;
載波組生成部,其生成由分別具有彼此不同的頻率的多個載波構(gòu)成的載波組,其中所述頻率屬于以規(guī)定的中心頻率為中心的規(guī)定的頻帶;和
使用所述載波組在所述處理容器內(nèi)生成等離子體的等離子體生成部,
所述載波組生成部,以使所述載波組的反射波的功率成為極小的頻率與所述載波組中所包含的多個載波中的任意載波的頻率一致的方式生成所述載波組。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
各所述載波的頻率以固定的間隔存在多個。
3.如權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
所述載波組,是使用通過將波形數(shù)據(jù)量化并進(jìn)行逆傅里葉變換而得的I數(shù)據(jù)和Q數(shù)據(jù),對彼此相位相差90°的載波進(jìn)行調(diào)制而生成的。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
各所述載波的頻率與時間的經(jīng)過無關(guān)是固定的。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
所述多個載波的振幅相同。
6.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
各所述載波的振幅與時間的經(jīng)過無關(guān)是固定的。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
所述多個載波中的所述規(guī)定的頻帶中頻率相鄰的至少2個載波的相位不同。
8.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
所述多個載波中的所述規(guī)定的頻帶中頻率相鄰的至少2個載波的相位相差90°。
9.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置,其特征在于,還包括:
檢測所述載波組的反射波的頻譜的檢測部;和
控制部,其控制所述載波組生成部,決定所述規(guī)定的頻帶的寬度以使得作為與所述頻譜的極小值對應(yīng)的所述反射波的頻率的極小反射頻率存在于所述規(guī)定的頻帶內(nèi)。
10.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
所述載波組生成部,在利用所述等離子體對被處理體進(jìn)行等離子體處理之前,生成由分別具有彼此不同的頻率的多個載波構(gòu)成的另一載波組,其中所述頻率屬于以規(guī)定的中心頻率為中心的所述規(guī)定的頻帶,
所述等離子體生成部使用所述另一載波組在所述處理容器內(nèi)生成等離子體,
所述另一載波組中所包含的各所述載波的振幅,隨時間的經(jīng)過而變動,該振幅的極大值比所述載波組中所包含的各所述載波的振幅大。
11.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
所述載波組生成部,在利用所述等離子體對被處理體進(jìn)行等離子體處理之前,生成所述載波組中所包含的所述多個載波中的至少一個載波,
所述等離子體生成部使用所述至少一個載波,在所述處理容器內(nèi)生成等離子體,
所述至少一個載波的振幅,比進(jìn)行所述等離子體處理時的所述至少一個載波的振幅大。
12.一種等離子體處理方法,其特征在于:
生成由分別具有彼此不同的頻率的多個載波構(gòu)成的載波組,其中所述頻率屬于以規(guī)定的中心頻率為中心的規(guī)定的頻帶,所述載波組以使所述載波組的反射波的功率成為極小的頻率與所述載波組中所包含的多個載波中的任意載波的頻率一致的方式生成,
使用所述載波組在處理容器內(nèi)生成等離子體。
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