[發(fā)明專(zhuān)利]用于無(wú)線(xiàn)通信設(shè)備的基于MOSCAP的電路及其制造和使用方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201680026404.5
• 申請(qǐng)日: 2016-05-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109075187A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-12-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 索姆納特·慕克吉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 薄膜電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/00;H01L33/14;H01L51/05;H01L31/02;H01L31/115;H01L31/18
• 代理公司: 四川力久律師事務(wù)所 51221
• 代理人: 韓洋

公開(kāi)了一種無(wú)線(xiàn)（例如近場(chǎng)或射頻）通信設(shè)備，及其制造和使用的方法。所述無(wú)線(xiàn)通信設(shè)備包括接收器和/或發(fā)射器、在其上具有天線(xiàn)的基板、集成電路、以及一個(gè)或多個(gè)連續(xù)性傳感器。所述天線(xiàn)接收和/或反向散射無(wú)線(xiàn)信號(hào)。所述集成電路處理所述無(wú)線(xiàn)信號(hào)和/或由該處理而得的信息，和/或生成所述無(wú)線(xiàn)信號(hào)和/或用于該生成的信息。所述連續(xù)性傳感器配置用于感測(cè)或確定所述包裝或容器中存在化學(xué)品或物質(zhì)，以及因此的所述包裝或容器的連續(xù)性狀態(tài)，所述通信設(shè)備放置在或者固定或粘附在所述包裝或者容器上。所述連續(xù)性傳感器電連接到所述集成電路的一組端子，該組端子不同于所述天線(xiàn)所電連接的那組端子。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2015年5月4日提交的美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)62/156,687號(hào)的權(quán)益，其通過(guò)引用并入本文，如同在本文中完全闡述一樣。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明大體上涉及無(wú)線(xiàn)(例如近場(chǎng)和射頻)通信領(lǐng)域。更具體地，本發(fā)明的實(shí)施例涉及無(wú)線(xiàn)標(biāo)簽和設(shè)備及其制造和使用的方法，該無(wú)線(xiàn)標(biāo)簽和設(shè)備具有以金屬氧化物半導(dǎo)體電容器(MOSCAP)為基礎(chǔ)的前端。

背景技術(shù)

印刷的摻雜多晶硅(PDPS)晶體管和其他類(lèi)型或種類(lèi)的晶體管的有限截止頻率可能無(wú)法使其應(yīng)用于工作在更高射頻(例如，超高頻)的RFID標(biāo)簽。然而，PDPS和其他晶體管的實(shí)現(xiàn)和使用是眾所周知的，包括用于MOSCAP設(shè)備。這樣的晶體管和MOSCAP設(shè)備在許多應(yīng)用中非常有用。然而，需要一種低成本、可靠的解決方案來(lái)調(diào)制(例如，編碼)信息并探測(cè)RFID或其他無(wú)線(xiàn)標(biāo)簽(例如，工作在一個(gè)或多個(gè)UHF和/或RF頻率)中的高頻無(wú)線(xiàn)信號(hào)。

本“背景技術(shù)”部分僅用于提供背景信息。本“背景技術(shù)”部分中的陳述不是對(duì)本“背景技術(shù)”部分中公開(kāi)的主題構(gòu)成本公開(kāi)的現(xiàn)有技術(shù)的承認(rèn)，且本“背景技術(shù)”部分中的任何部分都不應(yīng)視為承認(rèn)本申請(qǐng)的任何部分(包括本“背景技術(shù)”部分)構(gòu)成本公開(kāi)的現(xiàn)有技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明涉及非線(xiàn)性電容器，包括非線(xiàn)性電容器的無(wú)線(xiàn)(例如，近場(chǎng)通信[NFC],射頻[RF和/或RFID]，高頻[HF]和超高頻[UHF])設(shè)備，以及制造和使用此種非線(xiàn)性電容器和無(wú)線(xiàn)通信設(shè)備的方法。例如，非線(xiàn)性MOSCAP設(shè)備(例如，配置或接線(xiàn)為電容器的MOS晶體管)可以被用來(lái)制作RFID或者其他無(wú)線(xiàn)標(biāo)簽中的調(diào)制器和/或檢測(cè)器，該標(biāo)簽?zāi)軌蜻\(yùn)行在相應(yīng)晶體管的截止頻率范圍之外。所述調(diào)制器和/或檢測(cè)器可以被替換或加入到RFID或其他無(wú)線(xiàn)標(biāo)簽(其工作在一個(gè)或多個(gè)UHF頻率)的前端。因此，一方面，本發(fā)明涉及非線(xiàn)性電容器，其包括第一電極、與所述第一電極接觸的介電層和第二電極，該第二電極通過(guò)所述介電層和第一半導(dǎo)體(例如印刷摻雜多晶硅)與所述第一電極隔開(kāi)的。

在各種實(shí)施例中，所述第二電極可以包括第二半導(dǎo)體(例如印刷摻雜多晶硅)，且所述介電層可以包括氧化硅。例如，所述介電層可以包括二氧化硅。在進(jìn)一步的實(shí)施例中，所述第二電極與所述介電層接觸，且所述介電層可以具有實(shí)質(zhì)上恒定的厚度。在一個(gè)實(shí)例中，所述非線(xiàn)性電容器包括金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，所述第一半導(dǎo)體包括所述MOS晶體管的源極和漏極區(qū)域，其中二者相互電氣連接，所述第二電極包括所述MOS晶體管的柵極，并且所述介電層包括所述MOS晶體管的柵極介電層。所述MOS晶體管的源極和漏極區(qū)域可以包括在第一印刷摻雜多晶硅體中的第一和第二重?fù)诫s區(qū)域，并且所述MOS晶體管可以進(jìn)一步包括分別連接至所述第一和第二重?fù)诫s區(qū)域且相互電氣連接的第一和第二金屬電極。此種MOS晶體管表現(xiàn)為電壓依賴(lài)型非線(xiàn)性電容器。