[發明專利]壓接型半導體裝置

有效

• 申請號: 201680025897.0
• 申請日: 2016-03-25
• 公開（公告）號: CN107533983B
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 奧田聰志;古川彰彥;池田知弘
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L21/52
• 分類號: H01L21/52;H01L25/07;H01L25/18
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 金春實

1.一種壓接型半導體裝置，其中，

具備壓接型半導體元件和按壓所述壓接型半導體元件的按壓部，

所述壓接型半導體元件包括：

3端子型的第1半導體芯片，具有第1電極、第2電極以及第3電極；

2端子型的第2半導體芯片，具有第4電極和第5電極；

所述第1半導體芯片的所述第1電極上的第1中間電極；

所述第2半導體芯片的所述第4電極上的第2中間電極；

第1共同電極板以及第2共同電極板，夾持所述第1半導體芯片、所述第2半導體芯片、所述第1中間電極以及所述第2中間電極；以及

筒體，機械連接于所述第1共同電極板以及所述第2共同電極板，

所述筒體、所述第1共同電極板以及所述第2共同電極板對所述第1半導體芯片、所述第2半導體芯片、所述第1中間電極以及所述第2中間電極進行氣密密封，

所述第1共同電極板以及所述第2共同電極板一邊被所述按壓部向所述第1半導體芯片以及所述第2半導體芯片按壓，一邊被電連接于所述第1半導體芯片以及所述第2半導體芯片，

所述第2半導體芯片與所述第1半導體芯片電并聯連接，

所述第1中間電極具有與所述第1半導體芯片的所述第1電極對置的第1表面以及與所述第1表面相反一側的第2表面，

所述第2中間電極具有與所述第2半導體芯片的所述第4電極對置的第3表面以及與所述第3表面相反一側的第4表面，

所述第2中間電極具有貫通所述第3表面與所述第4表面之間的1個以上的第2貫通孔，

所述第1共同電極板以及所述第2半導體芯片封閉所述1個以上的第2貫通孔，

所述1個以上的第2貫通孔與由所述筒體、所述第1共同電極板以及所述第2共同電極板氣密密封的空間流體分離。

2.根據權利要求1所述的壓接型半導體裝置，其中，

所述1個以上的第2貫通孔延伸的方向相對于所述第4電極的法線傾斜。

3.一種壓接型半導體裝置，其中，

具備壓接型半導體元件和按壓所述壓接型半導體元件的按壓部，

所述壓接型半導體元件包括：

3端子型的第1半導體芯片，具有第1電極、第2電極以及第3電極；

2端子型的第2半導體芯片，具有第4電極和第5電極；

所述第1半導體芯片的所述第1電極上的第1中間電極；

所述第2半導體芯片的所述第4電極上的第2中間電極；

第1共同電極板以及第2共同電極板，夾持所述第1半導體芯片、所述第2半導體芯片、所述第1中間電極以及所述第2中間電極；以及

筒體，機械連接于所述第1共同電極板以及所述第2共同電極板，

所述筒體、所述第1共同電極板以及所述第2共同電極板對所述第1半導體芯片、所述第2半導體芯片、所述第1中間電極以及所述第2中間電極進行氣密密封，

所述第1共同電極板以及所述第2共同電極板一邊被所述按壓部向所述第1半導體芯片以及所述第2半導體芯片按壓，一邊被電連接于所述第1半導體芯片以及所述第2半導體芯片，

所述第2半導體芯片與所述第1半導體芯片電并聯連接，

所述第1中間電極具有與所述第1半導體芯片的所述第1電極對置的第1表面以及與所述第1表面相反一側的第2表面，

所述第2中間電極具有與所述第2半導體芯片的所述第4電極對置的第3表面以及與所述第3表面相反一側的第4表面，

所述第2中間電極具有貫通所述第3表面與所述第4表面之間的1個以上的第2貫通孔，

所述1個以上的第2貫通孔與由所述筒體、所述第1共同電極板以及所述第2共同電極板氣密密封的空間流體分離，

所述壓接型半導體元件在所述第2中間電極與所述第1共同電極板之間還包括具有導電性的第2連接部件，

所述第2連接部件以及所述第2半導體芯片封閉所述1個以上的第2貫通孔。

4.根據權利要求3所述的壓接型半導體裝置，其中，

所述1個以上的第2貫通孔延伸的方向相對于所述第4電極的法線傾斜。

5.根據權利要求3所述的壓接型半導體裝置，其中，

所述第2連接部件具有第2凸部，該第2凸部插入于所述1個以上的第2貫通孔中的至少1個第2貫通孔。