[發明專利]源極線布局與磁隧道結(MTJ)存儲器位單元中的存取晶體管接觸布置的解耦以促進減小的接觸電阻有效
| 申請號: | 201680024281.1 | 申請日: | 2016-03-28 |
| 公開(公告)號: | CN107533859B | 公開(公告)日: | 2019-08-30 |
| 發明(設計)人: | 朱小春;魯宇;樸禪度;康相赫 | 申請(專利權)人: | 高通股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C11/16 | 分類號: | G11C11/16;H01L27/22 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 王茂華;董典紅 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 源極線 布局 隧道 mtj 存儲器 單元 中的 存取 晶體管 接觸 布置 促進 減小 電阻 | ||
1.一種在集成電路中的磁隧道結存儲器位單元,包括:
有源半導體層,所述有源半導體層包括存取晶體管,所述存取晶體管包括源極節點、漏極節點和柵極節點;
漏極接觸件,所述漏極接觸件被設置在所述漏極節點上方并與所述漏極節點接觸;
源極接觸件,所述源極接觸件被設置在所述源極節點上方并與所述源極節點接觸;
漏極列,所述漏極列包括被設置在所述漏極接觸件上方并與所述漏極接觸件接觸的漏極板;
磁隧道結,所述磁隧道結被設置在所述有源半導體層上方,與所述漏極列電接觸;
源極板,所述源極板包括被設置在第一金屬層中的金屬線,在所述源極接觸件上方并與所述源極接觸件接觸;和
源極線,所述源極線被設置在所述第一金屬層上方的第二金屬層中,所述源極線與所述源極板電接觸以將所述源極線電連接到所述源極節點。
2.根據權利要求1所述的磁隧道結存儲器位單元,其中,所述源極線不與所述源極接觸件物理接觸。
3.根據權利要求1所述的磁隧道結存儲器位單元,還包括接觸層,所述接觸層包括所述源極接觸件、所述漏極接觸件、所述源極板和所述漏極板,其中所述源極線未被設置在所述接觸層中。
4.根據權利要求1所述的磁隧道結存儲器位單元,其中,所述源極板和所述漏極板沿著所述有源半導體層的寬度軸而對準。
5.根據權利要求1所述的磁隧道結存儲器位單元,其中,所述源極板包括源極金屬板。
6.根據權利要求1所述的磁隧道結存儲器位單元,其中,所述第一金屬層由金屬1層構成。
7.根據權利要求1所述的磁隧道結存儲器位單元,其中,所述源極接觸件由長形源極接觸件構成。
8.根據權利要求7所述的磁隧道結存儲器位單元,其中,所述長形源極接觸件是矩形形狀。
9.根據權利要求1所述的磁隧道結存儲器位單元,其中,所述漏極接觸件由長形漏極接觸件構成。
10.根據權利要求9所述的磁隧道結存儲器位單元,其中,所述長形漏極接觸件是矩形形狀。
11.根據權利要求1所述的磁隧道結存儲器位單元,包括一晶體管-一磁隧道結存儲器位單元。
12.根據權利要求1所述的磁隧道結存儲器位單元,其中,所述有源半導體層還包括第二存取晶體管,所述第二存取晶體管包括第二源極節點、所述漏極節點和第二柵極節點;和
還包括:
第二源極接觸件,所述第二源極接觸件被設置在所述第二源極節點上方并與所述第二源極節點接觸;以及
第二源極板,所述第二源極板包括被設置在所述第一金屬層中的第二金屬線,在所述第二源極接觸件上方并與所述第二源極接觸件接觸;
所述源極線與所述源極板和所述第二源極板電接觸,以將所述源極線電連接到所述源極節點和所述第二源極節點。
13.根據權利要求1所述的磁隧道結存儲器位單元,其被設置在磁隨機存取存儲器陣列中,所述磁隨機存取存儲器陣列被設置在基于處理器的系統中。
14.根據權利要求13所述的磁隧道結存儲器位單元,其中,所述基于處理器的系統被設置在基于中央處理單元的片上系統中。
15.根據權利要求1所述的磁隧道結存儲器位單元,其被集成到集成電路中。
16.根據權利要求1所述的磁隧道結存儲器位單元,其被集成到從由以下構成的組中選擇的設備中:機頂盒;娛樂裝置;導航設備;通信設備;固定位置數據單元;移動位置數據單元;計算機;監視器;電視;調諧器;收音機;衛星廣播;音樂播放器;視頻播放器;和汽車。
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