[發(fā)明專利]化合物和包含其的有機電子器件

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201680022747.4
• 申請日: 2016-09-23
• 公開（公告）號: CN107531627A
• 公開（公告）日: 2018-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 車龍范;洪性佶;丘冀哲
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社LG化學(xué)
• 主分類號: C07D209/82
• 分類號: C07D209/82;C07C211/54;C09K11/06;H01L51/50
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 鄭毅,高世豪

1.一種由以下化學(xué)式1表示的化合物：

[化學(xué)式1]

在化學(xué)式1中，

L₁至L₃彼此相同或不同，并且各自獨立地為直接鍵；或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞芳基，

Ar₁和Ar₂彼此相同或不同，并且各自獨立地為氫、氘、鹵素基團、氰基、硝基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的甲硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的環(huán)烷基、或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基，

R₁至R₈彼此相同或不同，并且各自獨立地為氫、氘、鹵素基團、氰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烷基、或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基，或者任選地與相鄰基團結(jié)合形成經(jīng)取代或未經(jīng)取代的環(huán)，

R₉和R₁₀彼此相同或不同，并且各自獨立地為氫、氘、鹵素基團、氰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烷基、或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基，

p和q為1至4的整數(shù)，

當(dāng)p為2或更大時，多個R₉彼此相同或不同，以及

當(dāng)q為2或更大時，多個R₁₀彼此相同或不同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其中L₁至L₃彼此相同或不同，并且各自獨立地為直接鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞三聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞萘基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞蒽基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞菲基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞三亞苯基、或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞芴基。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其中Ar₁和Ar₂彼此相同或不同，并且各自獨立地為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的萘基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的蒽基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的菲基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三苯基、或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芴基。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其中R₁與R₂、R₂與R₃、或R₃與R₄彼此結(jié)合形成經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳族烴環(huán)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其中化學(xué)式1由以下化學(xué)式2至4中的任一者表示：

[化學(xué)式2]

[化學(xué)式3]

[化學(xué)式4]

在化學(xué)式2至4中，

L₁至L₃、Ar₁、Ar₂、R₁至R₁₀、p和q與化學(xué)式1中定義的那些相同，

R’為氫、氘、鹵素基團、氰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烷基、或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基，

r為1至4的整數(shù)，以及

當(dāng)r為2或更大時，多個R’彼此相同或不同。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其中R₉和R₁₀為氫。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其中由化學(xué)式1表示的所述化合物為選自以下化合物中的任一者：

8.一種有機電子器件，包括：

第一電極；

設(shè)置成面對所述第一電極的第二電極；以及

設(shè)置在所述第一電極與所述第二電極之間的一個或更多個有機材料層，

其中所述有機材料層中的一個或更多個層包含根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的化合物。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機電子器件，其中所述有機材料層包括空穴注入層或空穴傳輸層，并且所述空穴注入層或所述空穴傳輸層包含所述化合物。