[發明專利]制造三維裝置的方法以及形成多柵極式晶體管的方法

有效

• 申請號: 201680022679.1
• 申請日: 2016-04-18
• 公開（公告）號: CN107533960B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 孫世宇;吉田尚美;班杰明·科倫貝亞努;漢斯-喬辛·L·格斯曼
• 申請（專利權）人: 瓦里安半導體設備公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L21/8234;H01L21/28;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/336
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊文娟;臧建明

1.一種形成三維裝置的方法，其特征在于，包括：

將離子引導至鰭片結構的延伸區的端面，所述鰭片結構自基板平面垂直地延伸且具有平行于所述基板平面的鰭片軸線，

其中所述離子具有在垂直于所述基板平面且平行于所述鰭片軸線的平面中延伸的軌跡，

其中所述鰭片結構的一部分被柵極結構覆蓋，所述柵極結構定義通道區，

其中在引導所述離子期間，所述端面不被所述柵極結構覆蓋且不延伸超過所述柵極結構，且其中所述離子均勻地分布于所述端面上。

2.根據權利要求1所述的形成三維裝置的方法，其特征在于，所述鰭片結構包含單晶硅。

3.根據權利要求1所述的形成三維裝置的方法，其特征在于，所述鰭片結構包括至少三個層，其中至少一個層包含硅且至少一個層包含硅:鍺合金。

4.根據權利要求1所述的形成三維裝置的方法，其特征在于，所述軌跡相對于所述基板平面的垂線形成10度至12度的入射角。

5.根據權利要求1所述的形成三維裝置的方法，其特征在于，所述離子被提供作為源極/漏極延伸植入劑。

6.根據權利要求1所述的形成三維裝置的方法，其特征在于，還包括：在將所述離子引導至所述端面之后，在所述延伸區上形成凸起的源極/漏極。

7.根據權利要求1所述的形成三維裝置的方法，其特征在于，所述柵極結構定義所述鰭片結構的暴露區，所述方法還包括移除所述暴露區的一部分，其中形成所述鰭片結構的所述延伸區。

8.一種形成三維裝置的方法，其特征在于，包括：

提供多個鰭片結構，所述鰭片結構自基板平面垂直地延伸，所述鰭片結構相互平行且具有平行于所述基板平面的鰭片軸線；

提供柵極結構，所述柵極結構覆蓋所述鰭片結構的一部分，其中所述柵極結構定義給定鰭片結構的暴露區；

移除所述暴露區的至少一部分，其中所述鰭片結構的暴露區被形成為具有不被所述柵極結構覆蓋的端面，所述端面不延伸超過所述柵極結構；以及

在移除所述暴露區的所述至少一部分之后，將離子引導至所述端面，所述離子具有在垂直于所述基板平面且平行于所述鰭片軸線的平面中延伸的軌跡，其中所述離子均勻地分布于所述端面上。

9.根據權利要求8所述的形成三維裝置的方法，其特征在于，所述多個鰭片結構包含單晶硅。

10.根據權利要求8所述的形成三維裝置的方法，其特征在于，所述多個鰭片結構包括至少三個層，其中至少一個層包含硅且至少一個層包含硅:鍺合金，其中所述鰭片結構構成水平環柵裝置結構的一部分。

11.根據權利要求8所述的形成三維裝置的方法，其特征在于，所述軌跡相對于所述基板平面的垂線形成10度至12度的入射角。

12.根據權利要求8所述的形成三維裝置的方法，其特征在于，所述三維裝置包括多個鰭片串，其中給定的鰭片串包括給定的鰭片結構以及與所述鰭片結構的所述端面相隔距離S的相鄰結構，其中所述柵極結構是由高度h_T定義，且其中以由arctan(S/h_T)定義的入射角引導所述離子。

13.根據權利要求8所述的形成三維裝置的方法，其特征在于，所述多個鰭片結構構成鰭式場效晶體管裝置的部分或水平環柵裝置的部分。

14.一種形成多柵極式晶體管的方法，其特征在于，包括：

提供多個鰭片結構，所述鰭片結構自基板平面垂直地延伸，所述鰭片結構相互平行且具有平行于所述基板平面的鰭片軸線，其中所述鰭片結構包含至少單晶硅；

提供柵極結構，所述柵極結構覆蓋所述鰭片結構的一部分，其中所述柵極結構定義給定鰭片結構的暴露區；

移除所述暴露區的至少一部分，以形成所述鰭片結構的延伸區，

其中所述鰭片結構的所述延伸區具有不被所述柵極結構覆蓋的端面，所述端面不延伸超過所述柵極結構；以及

在移除所述暴露區的所述至少一部分之后，執行源極/漏極延伸植入，所述源極/漏極延伸植入包括：將摻雜劑離子引導至所述端面，所述摻雜劑離子具有在垂直于所述基板平面且平行于所述鰭片軸線的平面中延伸的軌跡，其中所述軌跡相對于所述基板平面的垂線形成非零入射角，其中所述摻雜劑離子在所述鰭片結構內形成源極/漏極延伸，且其中所述摻雜劑離子均勻地分布于所述端面上。