[發(fā)明專利]具有泄露控制的低輪廓耦合感應(yīng)器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680022401.4
• 申請日: 2016-02-24
• 公開（公告）號: CN107533897B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: M·W·巴克;J·邱;B·A·三和;A·伊克里亞尼科夫
• 申請（專利權(quán)）人: 馬克西姆綜合產(chǎn)品公司
• 主分類號: H01F27/24
• 分類號: H01F27/24;H01F3/10
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 蔡洪貴

1.一種低輪廓耦合感應(yīng)器，包括：

磁芯，所述磁芯包括：

第一端部凸緣和第二端部凸緣，

繞組形成元件，所述繞組形成元件沿著第一方向設(shè)置在所述第一端部凸緣和所述第二端部凸緣之間并連接所述第一端部凸緣和所述第二端部凸緣，

第一外板，所述第一外板沿著第二方向設(shè)置在所述第一端部凸緣和所述第二端部凸緣上方并面向所述第一端部凸緣和所述第二端部凸緣，所述第二方向正交于所述第一方向，所述第一外板形成有沿著所述第二方向延伸到所述第一外板中的第一凹部，以及

第一泄漏柱，所述第一泄漏柱沿著所述第二方向設(shè)置在所述繞組形成元件和所述第一外板之間，所述第一泄漏柱在所述第二方向上面向所述第一凹部，其中，繞著所述第一泄漏柱未纏繞有繞組；

第一繞組，所述第一繞組在所述第一端部凸緣和所述第一泄漏柱之間繞著所述繞組形成元件纏繞；以及

第二繞組，所述第二繞組在所述第一泄漏柱和所述第二端部凸緣之間繞著所述繞組形成元件纏繞，所述第一繞組和所述第二繞組中的每個繞著在所述第一方向上延伸的公共軸線纏繞；

所述第一泄漏柱附接至所述繞組形成元件，并且在所述第二方向上與所述第一外板間隔第一泄漏間隙；

所述第一外板在所述第二方向上與所述第一端部凸緣間隔第一勵磁間隙；

所述第一外板在所述第二方向上與所述第二端部凸緣間隔第二勵磁間隙；以及

所述第一泄漏間隙在所述第二方向上的厚度與所述第一勵磁間隙和所述第二勵磁間隙中的每個在所述第二方向上的相應(yīng)厚度不同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低輪廓耦合感應(yīng)器，其特征在于：

所述繞組形成元件以及所述第一端部凸緣和所述第二端部凸緣由鐵氧體磁性材料形成；以及

所述第一外板由磁性糊料形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低輪廓耦合感應(yīng)器，其特征在于，所述第一繞組和所述第二繞組中的每個繞著所述繞組形成元件形成多匝。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低輪廓耦合感應(yīng)器，其特征在于，所述磁芯進(jìn)一步包括：

第二外板，所述第二外板沿著所述第二方向設(shè)置在所述第一端部凸緣和所述第二端部凸緣上方并面向所述第一端部凸緣和所述第二端部凸緣，以使得所述第一端部凸緣和所述第二端部凸緣以及所述繞組形成元件各自沿著所述第二方向設(shè)置在所述第一外板和所述第二外板之間；以及

第二泄漏柱，所述第二泄漏柱沿著所述第二方向設(shè)置在所述繞組形成元件和所述第二外板之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低輪廓耦合感應(yīng)器，其特征在于，所述第二泄漏柱在所述第二方向上與所述繞組形成元件和所述第二外板中的一個間隔第二泄漏間隙。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低輪廓耦合感應(yīng)器，其特征在于，所述第二泄漏柱附接至所述繞組形成元件，并且與所述第二外板間隔所述第二泄漏間隙。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低輪廓耦合感應(yīng)器，其特征在于，所述第二外板形成有沿著所述第二方向延伸到所述第二外板中的第二凹部，所述第二泄漏柱在所述第二方向上面向所述第二凹部。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低輪廓耦合感應(yīng)器，其特征在于，所述第二泄漏柱附接至所述第二外板，并且與所述繞組形成元件間隔所述第二泄漏間隙。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低輪廓耦合感應(yīng)器，其特征在于：

所述第二外板在所述第二方向上與所述第一端部凸緣間隔第三勵磁間隙；以及

所述第二外板在所述第二方向上與所述第二端部凸緣間隔第四勵磁間隙。