[發(fā)明專利]鉭酸鋰單晶基板及其接合基板、該接合基板的制造方法以及使用該基板的表面聲波器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680022206.1 | 申請日： | 2016-04-06 |
| 公開（公告）號： | CN107429425A | 公開（公告）日： | 2017-12-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 丹野雅行;阿部淳;加藤公二;桑原由則 | 申請（專利權(quán)）人： | 信越化學(xué)工業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | C30B29/30 | 分類號： | C30B29/30;C04B37/00;C04B37/02;C30B31/02;C30B33/06;H03H9/25 |
| 代理公司： | 北京市隆安律師事務(wù)所11323 | 代理人： | 權(quán)鮮枝,侯劍英 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 鉭酸鋰單晶基板 及其 接合 制造 方法 以及 使用 表面 聲波 器件 | ||
1.一種鉭酸鋰單晶基板，是使Li從晶體方位為旋轉(zhuǎn)36°Y～49°Y切割的旋轉(zhuǎn)Y切割LiTaO3基板的表面向內(nèi)部擴(kuò)散，而具有基板表面和基板內(nèi)部的Li濃度不同的濃度分布的LiTaO3單晶基板，其特征在于，該LiTaO3單晶基板被實(shí)施了單一極化處理，從上述基板表面到在該LiTaO3基板表面?zhèn)鞑サ谋砻媛暡ɑ蛘咝孤侗砻媛暡ǖ牟ㄩL的5～15倍的深度為止具有大致均勻的Li濃度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鉭酸鋰單晶基板，其特征在于，
上述Li濃度分布是越靠近上述旋轉(zhuǎn)Y切割LiTaO3基板的基板表面則Li濃度越高、越靠近基板中心部則Li濃度越減小的濃度分布。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的鉭酸鋰單晶基板，其特征在于，
上述基板表面的Li與Ta的比率為Li：Ta＝50-α：50+α，α為-0.5＜α＜0.5的范圍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任意一項(xiàng)所述的鉭酸鋰單晶基板，其特征在于，
在基板中以25ppm～150ppm的濃度摻雜有Fe。
5.一種接合基板，其特征在于，
是將權(quán)利要求1至4中的任意一項(xiàng)所述的鉭酸鋰單晶基板與基底基板接合而構(gòu)成的。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的接合基板，其特征在于，
除去接合面的相反側(cè)的LiTaO3表層，從而保留Li濃度大致均勻的部分中的至少一部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的接合基板，其特征在于，
上述基底基板為Si、SiC、尖晶石中的任意一種。
8.一種表面聲波器件，其特征在于，
是使用權(quán)利要求1至4中的任意一項(xiàng)所述的鉭酸鋰單晶基板或者權(quán)利要求5至7中的任意一項(xiàng)所述的接合基板構(gòu)成的。
9.一種接合基板的制造方法，其特征在于，
將LiTaO3單晶基板與基底基板接合，除去接合面的相反側(cè)的LiTaO3表層，從而保留Li濃度大致均勻的部分中的至少一部分，上述LiTaO3單晶基板具有基板表面和基板內(nèi)部的Li濃度不同的濃度分布，從至少一方基板表面到任意的深度為止Li濃度大致均勻。
10.一種接合基板的制造方法，其特征在于，
將LiTaO3單晶基板與基底基板接合，除去接合面的相反側(cè)的LiTaO3表層，從而僅保留Li濃度大致均勻的部分，上述LiTaO3單晶基板具有基板表面和基板內(nèi)部的Li濃度不同的濃度分布，從至少一方基板表面到任意的深度為止Li濃度大致均勻。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的接合基板的制造方法，其特征在于，
上述Li濃度大致均勻的部分為偽化學(xué)計(jì)量組成。
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