[發(fā)明專利]用于OLED的分層結(jié)構(gòu)和制造這樣的結(jié)構(gòu)的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680021834.8 | 申請日: | 2016-03-23 |
| 公開(公告)號: | CN107431144B | 公開(公告)日: | 2019-10-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李榮盛;S.勒莫亞爾;韓鎮(zhèn)宇 | 申請(專利權(quán))人: | 法國圣戈班玻璃廠 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 劉維升;黃念 |
| 地址: | 法國*** | 國省代碼: | 法國;FR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 oled 分層 結(jié)構(gòu) 制造 這樣 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種適合作為有機發(fā)光器件(OLED)的支承體的分層結(jié)構(gòu),所述分層結(jié)構(gòu)包括:(i)光透射玻璃基板,(ii)在所述光透射玻璃基板的一面上形成的具有由含有至少30重量%Bi2O3的玻璃制成的外層的漫射內(nèi)部提取層(IEL),(iii)在所述IEL上形成的抗酸阻隔層,所述抗酸阻隔層具有由以下制成的雙層結(jié)構(gòu)?與IEL接觸的ALD沉積的金屬氧化物層(5),所述金屬氧化物選自氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、氧化鋯(ZrO2)和氧化鉿(HfO2),和?與所述ALD沉積的金屬氧化物層接觸的濺射沉積的SiOxNy層(4)。本發(fā)明還涉及制造適合作為OELD基板的這樣的分層結(jié)構(gòu)的方法。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及適合作為有機發(fā)光器件(OLED)的光散射基板的分層結(jié)構(gòu)和制造這樣的分層結(jié)構(gòu)的方法。
背景技術(shù)
OLED是包括夾在兩個電極之間的含熒光或磷光染料的有機層的堆疊體的光電子元件,其中至少一個電極是半透明的。當向電極施加電壓時,由陰極注入的電子和由陽極注入的空穴在有機層內(nèi)重組,導(dǎo)致從該熒光/磷光層發(fā)光。
眾所周知,來自常規(guī)OLED的光提取相當差,大部分光通過全內(nèi)反射陷在高折射率有機層和透明導(dǎo)電層(TCL)中。全內(nèi)反射不僅在將高折射率TCL與下方玻璃基板(大約1.5的折射率)分開的邊界處發(fā)生,還在玻璃與空氣的邊界處發(fā)生。
根據(jù)估算,在不含任何附加光提取層的常規(guī)OLED中,從有機層發(fā)出的光的大約60%陷在TCL/玻璃邊界處,另外20%的份額陷在玻璃/空氣表面處,只有大約20%離開OLED進入空氣。
已知借助在TCL和玻璃基板之間的光散射層減輕這一問題。這樣的光散射層具有接近TCL折射率的高折射率并含有許多光散射單元(element)。
還已知通過將OLED的玻璃和高折射率層之間的界面織構(gòu)化而提高光的耦合輸出。
這兩種光提取手段,也常被稱作“內(nèi)部提取層”(IEL),都包括粗糙度,其需要在施加TCL或有機堆疊體之前平坦化。
申請人已經(jīng)開發(fā)出涉及通過絲網(wǎng)印刷的玻璃料的熔結(jié)沉積的基于Bi2O3的平坦化層的IEL技術(shù)。這一層必須在發(fā)光區(qū)域中或在發(fā)光區(qū)域附近具有完美表面質(zhì)量以避免有機堆疊體中的任何漏泄電流或電短路。
在IEL和構(gòu)成OLED模塊的有機層之間,沉積透明陽極以驅(qū)使電流經(jīng)過有機層的整個表面。這一陽極通常由單個ITO(氧化銦錫)層或在一些情況下,與有助于顯著降低該陽極的總電阻率的金屬網(wǎng)格結(jié)合的ITO層構(gòu)成。在大尺寸OLED面板的情況下大多需要使用金屬網(wǎng)格,但在實踐中面板制造商有時甚至對相對較小的OLED面板也使用金屬網(wǎng)格。
ITO層通常具有100-180納米的厚度并通過真空濺射沉積。該金屬網(wǎng)格通常是由Mo-Al-Mo(“MAM”)結(jié)構(gòu)制成的三層結(jié)構(gòu),也通過真空濺射法沉積,具有大約700納米的典型總厚度(100納米Mo/500納米Al/100納米Mo)。
在通過真空濺射在IEL平坦化層上沉積ITO和金屬涂層后,進行下面兩個圖案化步驟:
-金屬層的圖案化:從OLED的有效區(qū)域中除去大的金屬表面,僅留下網(wǎng)格結(jié)構(gòu),
-ITO層的圖案化:在有效區(qū)域的邊緣除去ITO的線以阻斷也設(shè)計在ITO涂層上(在有效區(qū)域附近但在有效區(qū)域外)的陽極和陰極接觸墊之間的電連接。
ITO和金屬層的圖案化通常通過光刻和濕蝕刻法進行。
當在ITO層下形成金屬網(wǎng)格時,當然必須在ITO層的濺射前進行金屬層的圖案化。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
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